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申请/专利权人：宁夏大学
申请日：2024-04-03
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118292088A
主分类号：C30B1/02
分类号：C30B1/02;C30B29/06;C23C14/30;C23C14/16;C23C14/02;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请公开了一种金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，至少包括如下有益效果：金属诱导法制备晶化硅薄膜的过程中，首先将铝薄膜沉积在Si100衬底表面，通过改变铝沉积时的衬底温度就可以对后续晶化硅薄膜的微观组织加以调控，然后再将非晶硅薄膜沉积在铝薄膜表面，随后进行管式炉退火，铝与非晶硅之间会发生反应，铝充当了一种催化剂，导致非晶硅薄膜晶化的退火温度降低，可以形成择优取向大于97％以上的晶化硅薄膜，降低了制备单晶硅薄膜的成本。
主权项：1.一种金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，其特征在于，包括：步骤1，将Si100衬底采用标准RCA方法进行清洗；步骤2，在超真空腔室内将Si100衬底加热到25℃-200℃后，采用电子束蒸镀在所述Si100衬底上沉积82nm的铝形成金属诱导薄膜，所述超真空腔室内的真空度为1×10-3Pa，蒸镀速率为0.14nms，基片旋转速度为10rmin；步骤3，待所述金属诱导薄膜在所述超真空腔室内自然冷却到25℃后，采用电子束蒸镀在所述金属诱导薄膜上沉积199nm的非晶硅薄膜，所述超真空腔室内的真空度为2.0×10-4Pa，蒸镀速率为0.14nms，基片旋转速度为10rmin；步骤4，将所述非晶硅薄膜从所述超真空腔室内取出，在氮气气氛下的管式炉内以450℃温度退火300min后得到取向分数为97％以上的Si111择优取向的晶化硅薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏大学 一种金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法
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