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晶圆磨削方法及晶圆 

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申请/专利权人:芯联集成电路制造股份有限公司

摘要:本发明涉及半导体制造技术领域,提供了一种晶圆磨削方法及晶圆,晶圆磨削方法包括以下固定晶圆和磨削晶圆;磨削晶圆时,磨具转动并进给磨削,磨具进给过程中,至少一部分进给路径包括沿第一方向的进给,以及同时沿第二方向的进给,所述第一方向为晶圆的轴向,所述第二方向为晶圆的一径向;磨具进给被配置为:磨削后形成的环形凸起,位于靠近径向内侧的区域的厚度渐变,且沿径向向靠近晶圆的中心,所述厚度逐渐变小。本发明通过上述磨削方法所切割形成的环形凸起,有利于改善减薄后的晶圆的力学性能,在磨削工艺过程、人工手持以及运输过程等场景中,可降低晶圆的碎片率,改善边缘作用力下导致的晶圆隐裂现象。

主权项:1.一种晶圆磨削方法,其特征在于,包括以下步骤:固定晶圆;磨削晶圆;包括磨具转动并进给磨削,磨具进给过程中,至少一部分进给路径包括沿第一方向的进给以及同时沿第二方向的进给,所述第一方向为晶圆的轴向,所述第二方向为晶圆的一径向。

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权利要求:

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