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申请/专利权人：EQ泰科普勒斯株式会社
申请日：2023-06-19
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118302840A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L21/02
优先权：["20221103 KR 10-2022-0144905"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明一实施例的利用蒸镀装置形成氧化膜的方法包括如下步骤：步骤a，在硅基板上蒸镀绝缘膜；以及步骤b，利用蒸镀装置在绝缘膜上通过OH自由基进行退火来在硅基板与绝缘膜之间形成SiO2。
主权项：1.一种利用蒸镀装置形成氧化膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤a，在硅基板上蒸镀绝缘膜；以及步骤b，利用上述蒸镀装置在上述绝缘膜上通过OH自由基进行退火来在上述硅基板与绝缘膜之间形成SiO2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： EQ泰科普勒斯株式会社 利用高密度自由基形成改善的界面及薄膜的方法
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