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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在NMOS区域的衬底的表面形成NMOS栅极，在PMOS区域的衬底的表面形成PMOS栅极；在NMOS栅极的表面依次形成拉应力氮化层和硬掩膜层；在硬掩膜层的表面和PMOS栅极的表面形成第一压应力氮化层；在第一压应力氮化层的表面形成图案化的第一光刻胶层；刻蚀图案化的第一光刻胶层露出的第一压应力氮化层，以露出硬掩膜层，剩余的第一压应力氮化层与硬掩膜层之间形成沟槽；在硬掩膜层和剩余的第一压应力氮化层的表面形成第二压应力氮化层，第二压应力氮化层填充沟槽；刻蚀部分第二压应力氮化层，以露出硬掩膜层的表面。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，将所述衬底分为NMOS区域和PMOS区域；分别在所述NMOS区域的衬底的表面形成NMOS栅极，在所述PMOS区域的衬底的表面形成PMOS栅极，所述NMOS栅极和PMOS栅极共栅极；在所述NMOS栅极的表面依次形成拉应力氮化层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层的表面和PMOS栅极的表面形成第一压应力氮化层；在所述第一压应力氮化层的表面形成图案化的第一光刻胶层，图案化的第一光刻胶层露出所述硬掩膜层上方的第一压应力氮化层以及部分PMOS栅极上方的第一压应力氮化层；刻蚀所述图案化的第一光刻胶层露出的第一压应力氮化层，以露出所述硬掩膜层，剩余的第一压应力氮化层与硬掩膜层之间形成沟槽，所述沟槽内露出所述PMOS栅极的表面；在所述硬掩膜层和剩余的所述第一压应力氮化层的表面形成第二压应力氮化层，所述第二压应力氮化层填充所述沟槽；刻蚀部分第二压应力氮化层，以露出所述硬掩膜层的表面，剩余的所述第一压应力氮化层和第二压应力氮化层形成最终的压应力氮化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 半导体器件的形成方法
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