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半导体器件及其形成方法 

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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

摘要:射频RF开关包括在截面侧视图中每个设置在材料层上方的第一导电组件和第二导电组件。RF开关包括在截面侧视图中设置在材料层上方的加热器组件。加热器组件的段在截面侧视图中设置在第一导电组件和第二导电组件之间。加热器组件的上表面在截面侧视图中比第一导电组件或第二导电组件的上表面垂直升高得少。RF开关包括设置在加热器组件的段上方并且至少部分设置在第一导电组件和第二导电组件上方的相变材料PCM。PCM的电阻率响应于热量的施加而改变。热量由加热器组件产生。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

主权项:1.一种半导体器件,包括:材料层;第一导电组件和第二导电组件,在截面侧视图中每个设置在所述材料层上方;加热器组件,在所述截面侧视图中设置在所述材料层上方,其中,所述加热器组件的段在所述截面侧视图和平面顶视图中设置在所述第一导电组件和所述第二导电组件之间,并且其中,所述加热器组件的上表面在所述截面侧视图中比所述第一导电组件或所述第二导电组件的上表面垂直升高得少;以及相变材料PCM,在所述截面侧视图中设置在所述加热器组件的所述段上方并且至少部分设置在所述第一导电组件和所述第二导电组件上方,其中,所述相变材料的电阻率响应于热量的施加而改变,其中,所述热量由所述加热器组件产生。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法

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