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一种未掺杂、同成分LiNbO3晶体的激光辐照极化方法 

申请/专利权人:西安电子科技大学

申请日:2024-04-08

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118292113A

主分类号:C30B33/00

分类号:C30B33/00;C30B29/30

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明公开了一种铌酸锂晶体的激光辐照极化方法,包括:将未掺杂的z切LiNbO3晶体固定在激光辐照极化装置上;通过激光器发射第一激光光束,第一激光光束形成的激光光束聚焦至z切LiNbO3晶体内部,得到聚焦光束;调节快门和三维移动平台,利用聚焦光束在晶体的预定深度处进行激光直写,得到坏点标记图案,坏点标记图案与目标反转畴图样具有相同分布;将直写物镜更换为数值孔径更低的物镜,对坏点标记图案区域进行多次弱光扫描;从LiNbO3晶体+z面开始抛光,直至将坏点标记图案抛除,获得贯穿晶体整个厚度的目标反转畴结构。本发明完全摆脱了图形电极的限制,通过对快门和三维移动平台的调节可灵活地控制极化反转畴的图案和大小。

主权项:1.一种未掺杂、同成分LiNbO3晶体的激光辐照极化方法,其特征在于,包括:S1:将未掺杂、同成分的z切LiNbO3晶体固定在激光辐照极化装置上,所述激光辐照极化装置包括激光器以及沿所述激光器的光轴方向依次设置的快门、光束能量衰减器和分束器,在所述分束器的透射方向上依次设置有直写物镜和三维移动平台,z切LiNbO3晶体的或001晶面垂直于所述激光器的光轴方向,且z切LiNbO3晶体的或001晶面朝向所述激光器的出射方向;S2:通过所述激光器发射第一激光光束,所述第一激光光束依次经过所述快门、所述光束能量衰减器和所述分束器并照射至所述直写物镜,所述直写物镜将来自所述分束器的激光光束聚焦至z切LiNbO3晶体内部,得到聚焦光束;S3:调节所述快门和所述三维移动平台,利用所述聚焦光束在z切LiNbO3晶体的预定深度处进行激光直写,得到坏点标记图案,所述坏点标记图案与目标反转畴图样具有相同的平面分布;S4:将所述直写物镜更换为数值孔径更低的物镜,沿光轴方向对所述坏点标记图案的整个区域对应的z切LiNbO3晶体进行多次弱光扫描;S5:从所述三维移动平台取下所述LiNbO3晶体,从所述LiNbO3晶体+z面开始抛光,直至将所述坏点标记图案抛除,获得贯穿所述LiNbO3晶体整个厚度的目标反转畴结构,所述LiNbO3晶体+z面为所述LiNbO3晶体的001晶面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安电子科技大学 一种未掺杂、同成分LiNbO3晶体的激光辐照极化方法

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