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申请/专利权人：帝尔激光科技(无锡)有限公司
申请日：2024-05-11
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299469A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0288
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：提供一种基于激光诱导烧结技术的N型TOPCon电池的制备方法及太阳能电池结构，步骤包括在N型硅片正面制备掩膜层；采用激光将金属接触区对应的掩膜层去除；对硅片正面进行硼扩散掺杂，无掩膜区域形成重掺杂区，表面浓度不小于7×10E+18cm‑3；制备背面钝化接触结构；制备正背面减反层；制备电极；激光诱导烧结。本发明的N型TOPCon电池的制备方法无需激光掺杂仅需激光开膜，激光能量更低，表面损伤更小，减少表面复合。通过氧化掩膜的引入实现了真正重掺接触区域与轻掺钝化区域独立调节，制备选择性发射极得到理想PN结型，匹配LIF方案有更低的金属复合和接触电阻率，既可以提升开路电压，也能够平衡浅扩区因为高方阻带来的FF损失。
主权项：1.一种N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，在N型硅片正面制备掩膜层；采用激光将金属接触区对应的掩膜层去除，为无掩膜区域，未去除掩膜区域为掩膜保护区域；对硅片正面进行硼掺杂，无掩膜区域形成重掺杂区，掩膜保护区域形成轻掺杂区或非掺杂区，其中，重掺杂区表面浓度不小于7×10E+18cm-3，重掺杂区结深为0.2～1.2μm，重掺杂区方阻为50～200ohmsq；轻掺杂区结深为0.1～0.8μm，轻掺杂区方阻为200～1000ohmsq；制备背面钝化接触结构；去除金属接触区以外的掩膜层；制备正背面减反层；制备电极；激光诱导烧结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 帝尔激光科技(无锡)有限公司 一种N型TOPCon电池的制备方法及太阳能电池
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