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申请/专利权人：南京大学
申请日：2024-04-22
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118099206B
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L23/552;H01L21/335
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.02#授权;2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明公开一种级联型抗辐照GaNHEMT及其制作方法，本发明在MIS结构GaNHEMT的栅极结构处制备局域刻蚀孔，并填入肖特基金属层，使得辐照感生载流子能够从肖特基金属层流出晶体管，避免由载流子积累导致的辐照损伤。肖特基金属层交替间隔排布，下端与势垒层顶面相接触，上端通过条状肖特基金属层将所有栅极金属层刻蚀孔中的肖特基金属层连接在一起，并通过互联金属层、顶层金属层等连接到基板的Li管脚，Li管脚单独用于泄放载流子。本发明充分考虑了整体级联型结构布局，提出了级联型抗辐照器件结构设计，并实现具备正常电学工作能力的级联型器件，制作方法简单，与现有工艺兼容，提升了整体级联型器件的辐照能力。
主权项：1.一种级联型抗辐照GaNHEMT，它由低压MOSFET器件和MIS型GaNHEMT组成；其特征在于：所述MIS型GaNHEMT包括基础层和有源区层，所述基础层包括自下而上设置的衬底层（1）和氮化镓层，所述基础层表面的有源区包括自下而上依次设置的有源区氮化镓层、势垒层（3）和第一介质层（4），所述第一介质层（4）上方表面设有多个条状的栅极金属层（7），栅极金属层（7）与位于其正下方的第一介质层（4）组成MIS型GaNHEMT的栅极，在MIS型GaNHEMT的栅极结构处，栅极金属层（7）中设有多个间隔排布的刻蚀孔，每个刻蚀孔中均设有肖特基金属层（8），且每个叉指中肖特基金属层（8）均在栅极金属层（7）上方相连接，所有叉指的肖特基金属层（8）向MIS型GaNHEMT的有源区外引出肖特基金属引线并相连，形成肖特基金属焊盘区；所述MIS型GaNHEMT中，除了源极焊盘区、漏极焊盘区、栅极焊盘区、肖特基金属焊盘区的顶面外，有源区层和四周区域均填充有材料，从而形成第二介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 一种级联型抗辐照GaN HEMT及其制作方法
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