申请/专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所

申请日：2022-06-22

公开（公告）日：2024-07-02

公开（公告）号：CN115117154B

主分类号：H01L29/10

分类号：H01L29/10;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.02#授权;2022.10.18#实质审查的生效;2022.09.27#公开

摘要：本发明公开了一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，包括：金属漏电极，第一高掺杂层，具有鳍式结构的缓冲层，具有第一鳍柱、第二鳍柱、第三鳍柱、第四鳍柱的元胞区和具有第五鳍柱、第六鳍柱的终端区；第一、第四、第五鳍柱的顶表面叠设第二高掺杂层、金属源电极，并通过其外侧的金属栅电极实现器件的正向工作状态，第二、第六鳍柱通过顶表面及外侧的第二金属源电极实现器件的反向工作状态，第三鳍柱的顶表面及外侧设有第三介质层，用于隔离第二鳍柱与第四鳍柱；本发明器件具有高续流能力、高击穿电压、低开关损耗以及高工艺集成度等优势。

主权项：1.一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，其结构特征在于：该器件自下而上设有欧姆接触型的金属漏电极1、第一高掺杂层2、带有鳍式结构的缓冲层3，所述缓冲层3上沿X与Y轴延伸方向均设有重复排列的元胞单元A1，所有元胞单元A1构成器件的元胞区A，所述元胞区A的外围环绕终端区B；所述元胞单元A1包括两个第一鳍柱4a以及位于其中间且沿Y轴方向依次重复排列的第二鳍柱4b、第三鳍柱4c、第四鳍柱4d；所述第一鳍柱4a、第二鳍柱4b、第三鳍柱4c、第四鳍柱4d的底表面设有第一介质层5；所述第一鳍柱4a、第二鳍柱4b、第三鳍柱4c、第四鳍柱4d的侧壁设有第二介质层6；所述第一鳍柱4a远离第二鳍柱4b的一侧及第四鳍柱4d的外侧设有肖特基接触型的金属栅电极7，所述第一鳍柱4a与第四鳍柱4d的顶表面叠设第二高掺杂层8、欧姆接触型的第一金属源电极9；所述第二鳍柱4b的顶表面及外侧设有肖特基接触型的第二金属源电极10；所述第三鳍柱4c的顶表面及外侧设有第三介质层11；所述终端区B包括第五鳍柱4e和与其相邻的第六鳍柱4f；所述第五鳍柱4e、第六鳍柱4f的底表面设有第一介质层5；所述第一介质层5的上方以及第五鳍柱4e、第六鳍柱4f的侧壁设有第二介质层6；所述第五鳍柱4e靠近元胞区A的一侧设有金属栅电极7，所述第五鳍柱4e的顶表面叠设第二高掺杂层8、第一金属源电极9；所述第六鳍柱4f的顶表面、其外侧、远离元胞区A一侧的第二介质层6上方设有第二金属源电极10。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东南大学 东南大学—无锡集成电路技术研究所 一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件

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