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申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司

摘要：本发明涉及用于制造具有两部分式控制电极的功率鳍式场效应晶体管的方法100，所述功率鳍式场效应晶体管包括半导体本体，半导体本体具有第二连接区域和漂移层，第二连接区形成所述半导体本体的正面，所述方法具有以下步骤：借助第一光刻步骤在半导体本体的正面上产生105第一结构化掩模，其中，第一结构化掩膜具有氧化物区域、第一开口区域和第二开口区域，其中，第一开口区域和第二开口区域暴露半导体本体的正面；借助从半导体本体的正面出发直至漂移层中的第一蚀刻过程在第一开口区域下方产生110第一沟槽并且在第二开口区域下方产生第二沟槽，其中，第一沟槽和第二沟槽基本上彼此平行地布置并且交替，其中，第二沟槽具有比第一沟槽小的宽度；将多晶硅层施加115到半导体本体的正面上，使得第一沟槽和第二沟槽被填充；将各向同性氧化物层施加120到半导体本体的正面上；借助第二光刻步骤在各向同性氧化物层上产生125第二结构化掩模，其中，第二结构化掩模在第一沟槽上方是开口的；借助第二蚀刻过程去除130第一沟槽上方的各向同性氧化物层；借助第三蚀刻过程去除135第一沟槽内的多晶硅层；借助第一注入过程在第一沟槽下方产生140屏蔽区；借助第四蚀刻过程去除145第二沟槽上方的各向同性氧化物层和第二沟槽内的多晶硅层；将所述正面150氧化，使得另一氧化物层布置在所述正面上；借助第五蚀刻过程加宽155第一沟槽和第二沟槽，使得在第一沟槽与第二沟槽之间产生鳍片，其中，所述鳍片具有小于500nm的宽度；借助退火激活160屏蔽区；以及在第一沟槽内产生165两部分式控制电极。

主权项：1.用于制造具有两部分式控制电极的功率鳍式场效应晶体管的方法100，其中，所述功率鳍式场效应晶体管包括半导体本体，所述半导体本体具有第二连接区域和漂移层，其中，所述第二连接区域形成所述半导体本体的正面，所述方法具有以下步骤：借助第一光刻步骤在半导体本体的正面上产生105第一结构化掩模，其中，第一结构化掩膜具有氧化物区域、第一开口区域和第二开口区域，其中，第一开口区域和第二开口区域暴露半导体本体的正面，借助从半导体本体的正面出发直至漂移层中的第一蚀刻过程在第一开口区域下方产生110第一沟槽并且在第二开口区域下方产生第二沟槽，其中，第一沟槽和第二沟槽基本上彼此平行地布置并且交替，其中，第二沟槽具有比第一沟槽小的宽度，将多晶硅层施加115到半导体本体的正面上，使得第一沟槽和第二沟槽被填充，将各向同性氧化物层施加120到半导体本体的正面上，借助第二光刻步骤在各向同性氧化物层上产生125第二结构化掩模，其中，第二结构化掩模在第一沟槽上方是开口的，借助第二蚀刻过程去除130第一沟槽上方的各向同性氧化物层，借助第三蚀刻过程去除135第一沟槽内的多晶硅层，借助第一注入过程在第一沟槽下方产生140屏蔽区，借助第四蚀刻过程去除145第二沟槽上方的各向同性氧化物层和第二沟槽内的多晶硅层，将所述正面150氧化，使得另一氧化物层布置在所述正面上，借助第五蚀刻过程加宽155第一沟槽和第二沟槽，使得在第一沟槽与第二沟槽之间产生鳍片，其中，所述鳍片具有小于500nm的宽度，借助退火激活160屏蔽区，以及在第一沟槽内产生165两部分式控制电极。

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