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申请/专利权人：株式会社SK电子
申请日：2021-06-03
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN113805428B
主分类号：G03F1/38
分类号：G03F1/38;G03F1/76;G03F7/20
优先权：["20200615 JP 2020-103242"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.02#授权;2022.01.04#实质审查的生效;2021.12.17#公开
摘要：本发明提供能够将微细的孔图案稳定地析像的光掩模。本光掩模具备露出透过性基板的透过部、以及以包围透过部的方式将曝光光的相位反转的第一相移部和第二相移部。第二相移部介于第一相移部与透过部之间，第二相移部对曝光光的透射率比第一相移部的透射率低。另外，第二相移部可由第一相移部的相移膜与半透过膜的层叠结构构成。
主权项：1.一种光掩模，其是用于形成黑色矩阵的接近式曝光用光掩模，其特征在于，所述光掩模包含由遮光膜的图案构成的遮光部和由半透过膜的图案构成的半透过部，并且在所述遮光膜的图案与由所述遮光膜的图案规定的空间图案的边界部，具备由所述半透过膜的图案构成的不会因曝光光而析像的大小的第一辅助图案及第二辅助图案，所述遮光膜的图案是规定在曝光后线宽不同的至少两种空间图案的图案形状，所述第一辅助图案及第二辅助图案均是一定线宽的图案形状，使得与不具备所述辅助图案的情况相比在曝光后相对提高所述边界部的曝光时的曝光强度的均匀性，并且所述第一辅助图案形成在第一线宽的空间图案的端部，所述第二辅助图案形成在比所述第一线宽粗的第二线宽的空间图案的端部，所述第一线宽是指能够表现出对曝光波长显示光强度分布改善效果的线宽，所述第二线宽是指比所述第一线宽粗的线宽，所述第二辅助图案与所述第一辅助图案相比线宽更粗，所述第一辅助图案及第二辅助图案的透射率相等。
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