龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：奥特逻科公司
摘要：本发明提供一种光检测装置，该光检测装置包括半导体衬底。第一锗基光吸收材料由半导体衬底支撑并且被配置成吸收具有大于800nm的第一波长的第一光信号。第一金属线被电耦合到第一锗基光吸收材料的第一区。第二金属线被电耦合到第一锗基光吸收材料的第二区。第一区是未掺杂的或被掺杂有第一类型的掺杂剂。第二区被掺杂有第二类型的掺杂剂。第一金属线被配置成控制在第一锗基光吸收材料内部产生以由第二区收集的第一类型的光生载流子的量。
主权项：1.一种光检测装置，包括：半导体衬底；第一锗基光吸收材料，所述第一锗基光吸收材料由所述半导体衬底支撑并且被配置成吸收具有大于800nm的第一波长的第一光信号；第一金属线，所述第一金属线被电耦合到所述第一锗基光吸收材料的第一区；以及第二金属线，所述第二金属线被电耦合到所述第一锗基光吸收材料的第二区，第三金属线，所述第三金属线被耦合到所述第一锗基光吸收材料的第三区；以及第四金属线，所述第四金属线被耦合到所述第一锗基光吸收材料的第四区；以及钝化层，所述钝化层被形成在所述第一锗基光吸收材料的第一表面上，其中，所述第一区是被掺杂有第一类型的掺杂剂，所述第二区被掺杂有第二类型的掺杂剂，并且所述第一金属线被配置成控制在所述第一锗基光吸收材料内部产生以由所述第二区收集的第一类型的光生载流子的量；其中，所述第三区是被掺杂有所述第一类型的掺杂剂，并且所述第四区被掺杂有所述第二类型的掺杂剂，以及其中，所述第三金属线被配置成控制在所述第一锗基光吸收材料内部产生以由所述第四区收集的第一类型的光生载流子的量；其中，从所述第一锗基光吸收材料的所述第一表面延伸的所述第一区的深度大于从所述第一锗基光吸收材料的所述第一表面延伸的所述第二区的深度；其中，所述第一区或所述第三区的所述第一类型的掺杂剂的掺杂浓度低于所述第二区或所述第四区的第二类型的掺杂剂的掺杂浓度。
全文数据：
权利要求：
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号