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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所;雄芯光电科技有限责任公司
申请日：2020-06-30
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN111755950B
主分类号：H01S5/22
分类号：H01S5/22;H01S5/042
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.02#授权;2022.12.16#著录事项变更;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.09#公开
摘要：本公开提供一种电极部分覆盖脊条的DFB激光器，包括：衬底层；下限制层，位于衬底层上；下波导层，位于下限制层上；有源层，位于下波导层上；上波导层，位于有源层上；上限制层，位于上波导层上，其内设置有光栅，沿上限制层设置有一纵向脊波导；欧姆接触层，覆于脊波导上表面共同构成脊条结构；绝缘层，位于上限制层表面及脊条结构侧壁；以及P面电极，覆于脊条结构中间段的表面并沿绝缘层延伸出一外部接入电极；其中，脊条结构的两端未覆盖P面电极的部分分别形成第一区域和第二区域。
主权项：1.一种电极部分覆盖脊条的DFB激光器，包括：衬底层；下限制层，位于衬底层上；下波导层，位于下限制层上；有源层，位于下波导层上；上波导层，位于有源层上；上限制层，位于上波导层上，其内设置有光栅，沿上限制层设置有一纵向脊波导；所述光栅为均匀光栅结构；欧姆接触层，覆于脊波导上表面共同构成脊条结构；绝缘层，位于上限制层表面及脊条结构侧壁；以及P面电极，覆于脊条结构中间段的表面并沿绝缘层延伸出一外部接入电极；其中，脊条结构的两端未覆盖P面电极的部分分别形成第一区域和第二区域，所述第一区域长度不超过30um，所述第二区域长度不超过50um，所述第二区域的长度大于第一区域的长度；DFB激光器的高反面位于第二区域一侧脊条结构的端面；所述高反面的端面镀高反膜或者保持自然解理；DFB激光器的出光面位于第一区域一侧脊条结构的端面；所述出光面的端面镀增透膜或者保持自然解理；所述DFB激光器全部采用相同的有源层和光栅结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 雄芯光电科技有限责任公司 电极部分覆盖脊条的DFB激光器
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