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申请/专利权人：全磊光电股份有限公司
摘要：本发明提供一种高速DFB激光器外延结构，包括InP衬底，在衬底InP衬底由下至上依次沉积有缓冲层、有源区限制层、下波导层、量子阱、上波导层、有源区上限制层、过渡层、光栅层、联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述过渡层内插入应变的第一异质结超晶格层、第二异质结超晶格层。该DFB激光器外延结构在InP过渡层中，插入两组应变的异质结超晶格层，应变的异质结超晶格层兼顾腐蚀截止层的作用；并有利于二次外延生长时及InP原子的迁移，能提高光栅掩埋层的材料质量，提高DFB激光器的性能；该DFB激光器外延结构无腐蚀截止层，激光器电阻低，阈值低，无低频滚降现象，能提高高温带宽，使激光器能工作在‑40~85℃的宽的温度范围。
主权项：1.一种高速DFB激光器外延结构，其特征在于，包括InP衬底，在衬底InP衬底由下至上依次沉积有缓冲层、有源区限制层、下波导层、量子阱、上波导层、有源区上限制层、过渡层、光栅层、联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述过渡层内插入应变的第一异质结超晶格层、第二异质结超晶格层，所述第一异质结超晶格层为张应变，所述第二异质结超晶格层为压应变，所述第一异质结超晶格层与第二异质结超晶格层之间设有InP层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 全磊光电股份有限公司 一种高速DFB激光器外延结构及其制造方法
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