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一种针对LED芯片的晶粒去除方法及装置 

申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司

申请日:2024-04-09

公开(公告)日:2024-07-02

公开(公告)号:CN118280885A

主分类号:H01L21/67

分类号:H01L21/67;H01L21/66;B07C5/344;B07C5/34;B07C5/36

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开

摘要:本发明提供一种针对LED芯片的晶粒去除方法及装置,该方法包括:对每个LED芯片进行性能测试,以得到LED芯片中晶粒的电性数据和外观数据;将LED芯片中晶粒的电性数据和外观数据进行合并,以得到LED芯片中晶粒的性能数据;基于LED芯片中晶粒的性能数据、通过UV点胶机对LED芯片中的缺陷晶粒进行点胶;对LED芯片进行UV光解胶,使用UV膜与LED芯片带有缺陷晶粒的一面粘结重合;将UV膜与LED芯片分离,以将LED芯片中的缺陷晶粒转移至UV膜中;对LED芯片进行最终处理,以得到满足要求的LED芯片,本发明无需根据外观数据和电性数据通过分选机分两次去除晶粒,缩短了工艺流程,通过UV点胶机针对缺陷晶粒点胶,通过倒膜转移可以一次成型,效率高,得到的LED芯片和UV膜质量好。

主权项:1.一种针对LED芯片的晶粒去除方法,其特征在于,包括如下步骤:对每个所述LED芯片进行性能测试,以得到所述LED芯片中晶粒的电性数据和外观数据;将所述LED芯片中晶粒的电性数据和外观数据进行合并,以得到所述LED芯片中晶粒的性能数据;基于所述LED芯片中晶粒的性能数据、通过UV点胶机对所述LED芯片中的缺陷晶粒进行点胶;对所述LED芯片进行UV光解胶,使用UV膜与所述LED芯片带有缺陷晶粒的一面粘结重合;将所述UV膜与所述LED芯片分离,以将所述LED芯片中的缺陷晶粒转移至所述UV膜中;对所述LED芯片进行最终处理,以得到满足要求的所述LED芯片。

全文数据:

权利要求:

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