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申请/专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
摘要：本发明公开了一种芯片厚铜金属的去除方法。芯片厚铜金属的去除方法包括：去除厚铜金属表面的第一氧化层，露出厚铜金属；去除厚铜金属侧面的第二氧化层，露出厚铜金属，其中，第二氧化层和厚铜金属位于同层；在厚铜金属表面形成多个孔，孔的深度小于厚铜金属的厚度；去除厚铜金属，能够增加辅助气体和离子束刻蚀反应的接触面积，减小了辅助气体和离子束刻蚀反应的时间，极大的节省了去除厚铜金属的操作时间；且相比较直接去除厚铜金属而言，通过在厚铜金属表面形成多个孔，使得能够平整的去除集成电路中的厚铜金属，提高了处理铜工艺芯片的成功率。
主权项：1.一种芯片厚铜金属的去除方法，其特征在于，包括：去除厚铜金属表面的第一氧化层，露出所述厚铜金属；去除所述厚铜金属侧面的第二氧化层，露出所述厚铜金属，其中，所述第二氧化层和所述厚铜金属位于同层；在所述厚铜金属表面形成多个孔，所述孔的深度小于所述厚铜金属的厚度；去除所述厚铜金属。
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权利要求：
百度查询： 上海聚跃检测技术有限公司 一种芯片厚铜金属的去除方法
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