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一种陶瓷覆铜板的加工工艺 

申请/专利权人:江苏富乐华半导体科技股份有限公司

申请日:2024-05-08

公开(公告)日:2024-07-02

公开(公告)号:CN118283939A

主分类号:H05K3/18

分类号:H05K3/18;H05K3/10

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开

摘要:本发明涉及陶瓷覆铜板领域,具体公开了一种陶瓷覆铜板的加工工艺;包括以下步骤:S1:取碳纳米管,表面改性,得碳纳米管A;镀覆铬和镍,得碳纳米管B;镀覆钼和钨,得碳纳米管C;镀覆氧化亚铜,得改性碳纳米管;S2:将改性碳纳米管与铜粉混合,烧结,得坯料;将坯料依次进行挤压、热轧、冷轧,制得铜板;S3:将铜板预处理,得预处理铜片;将预处理铜片与氮化铝陶瓷基板进行活性金属钎焊,真空烧结,得陶瓷覆铜板。碳纳米管A的制备具体包括以下步骤:取碳纳米管、DMF、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚,升温搅拌,加入二2‑羟乙基亚氨基三羟甲基甲烷、2,4,6‑三氨基嘧啶,升温搅拌,过滤、干燥、洗涤,得碳纳米管A。

主权项:1.一种陶瓷覆铜板的加工工艺,其特征在于:包括以下步骤:S1:取碳纳米管,表面改性,得碳纳米管A;镀覆铬和镍,得碳纳米管B;镀覆钼和钨,得碳纳米管C;镀覆氧化亚铜,得改性碳纳米管;S2:将改性碳纳米管与铜粉混合,烧结,得坯料;将坯料依次进行挤压、热轧、冷轧,制得铜板;S3:将铜板预处理,得预处理铜片;将预处理铜片与氮化铝陶瓷基板进行活性金属钎焊,真空烧结,得陶瓷覆铜板。

全文数据:

权利要求:

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