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申请/专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日：2021-07-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113582131B
主分类号：B81C1/00
分类号：B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开
摘要：本发明提供了一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，通过将下层晶圆的第一金属密封圈的内边缘比上层晶圆的第二金属密封圈的内边缘向内延伸1mm以上，来使得上下两层晶圆有足够的工艺窗口来保证第一金属密封圈和第二金属密封圈之间的金属键合，然后对上层晶圆切边时保留要求距离的第二金属密封圈，由此，既能保证键合和切边后的晶圆级封装结构的密封效果，防止水汽、划片液等进入，又解决了后续划片时晶圆级封装结构边缘划不开的问题，且无需增加工艺制程，能够增加有效芯片的可用数量。
主权项：1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供边缘区域中形成有第一金属密封圈的下层晶圆以及边缘区域中形成有第二金属密封圈的上层晶圆，所述上层晶圆的内部区域中有空腔，且所述上层晶圆的边缘区域为外低内高的台阶结构，所述第二金属密封圈形成在所述台阶结构上；将所述第一金属密封圈与所述第二金属密封圈进行金属键合，以使得所述上层晶圆和所述下层晶圆形成晶圆级封装结构，且所述金属键合后，所述第二金属密封圈暴露出所述第一金属密封圈的1mm以上宽度的内边缘，所述台阶结构使得所述第二金属密封圈的外边缘与所述第一金属密封圈的外边缘之间具有缝隙；在与所述第二金属密封圈的内边缘相距要求距离的位置，对所述晶圆级封装结构中的上层晶圆进行切边并切除所述缝隙；对切边后的所述晶圆级封装结构进行划片，以获得相应的若干芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 晶圆级封装方法及晶圆级封装结构
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