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申请/专利权人：芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN117976636B
主分类号：H01L23/488
分类号：H01L23/488;H01L21/60;B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02;H03H9/54
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明提供了一种键合结构、晶圆的键合方法及晶圆堆叠结构。该键合结构包括设置在相邻的金属环之间的挡墙结构，该挡墙结构包括交替且间隔排布的第一金属阻挡墙和第二金属阻挡墙，从而可利用交替布置的第一金属阻挡墙和第二金属阻挡墙侧向阻挡化学液渗入。同时，第一金属阻挡墙未延伸至第二金属环而保留有间隙，第二金属阻挡墙未延伸至第一金属环而保留有间隙，避免了基片上的金属层被大面积连接，减少了电荷聚集及因电荷聚集而引起的异常。
主权项：1.一种键合结构，其特征在于，所述键合结构形成在基片上，所述基片内具有多个芯片区和环绕在芯片区外周的划片道；其中，所述键合结构包括：多个金属环，所述金属环环绕在所述芯片区的外周；以及，多个挡墙结构，所述挡墙结构形成所述划片道内，并且至少部分相邻的金属环之间设置有所述挡墙结构；其间设置有挡墙结构的相邻的金属环包括第一金属环和第二金属环，所述挡墙结构包括沿着所述划片道的延伸方向交替且间隔排布的第一金属阻挡墙和第二金属阻挡墙，所述第一金属阻挡墙连接所述第一金属环并朝向所述第二金属环的方向延伸，并且所述第一金属阻挡墙的端部与所述第二金属环存在第一间隙；所述第二金属阻挡墙连接所述第二金属环并朝向所述第一金属环的方向延伸，并且所述第二金属阻挡墙的端部与所述第一金属环存在第二间隙；以及，所述第一金属阻挡墙和所述第二金属阻挡墙之间形成有第三间隙，所述第一间隙、所述第二间隙和所述第三间隙的至少其中之一用于在基片键合之后构成毛细管结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 键合结构、晶圆的键合方法及晶圆堆叠结构
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