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申请/专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日：2021-12-31
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN114280898B
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.04.22#实质审查的生效;2022.04.05#公开
摘要：本申请涉及一种晶圆管芯曝光场的排布方法、晶圆的制备方法及晶圆，具体方法如下，首先形成第一曝光排布区域和第二曝光排布区域，之后通过判断出任一个第二曝光排布区域在第一方向上的至少一个端部，与晶圆的边缘之间存在未重叠区域时，则确定出对应的第二曝光排布区域的目标移动量和目标移动方向，采用这样错位移动的方式以将形成于晶圆边缘处的未重叠区域进行覆盖，从而增大管芯曝光场与晶圆的重叠面积，提高单片晶圆上管芯的数量，充分利用晶圆有效面积，提高单片晶圆上管芯的产出率；另外，还通过保证第一管芯曝光场与移动后的第二管芯曝光场内的管芯阵列对齐排布，从而防止在切割晶圆使对管芯造成划损。
主权项：1.一种晶圆管芯曝光场的排布方法，所述晶圆分为中间区域以及设置于所述中间区域两侧的边缘区域，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、沿第一方向覆盖所述中间区域矩阵阵列排布多个第一管芯曝光场，以形成第一曝光排布区域；步骤S2、沿垂直于所述第一方向的第二方向，在所述第一曝光排布区域两侧依次排布两个第二曝光排布区域，其中，每个所述第二曝光排布区域由多个第二管芯曝光场构成，多个所述第二管芯曝光场沿所述第一方向覆盖所述边缘区域直线阵列排布；步骤S3、若判断出任一个所述第二曝光排布区域在所述第一方向上的至少一个端部，与所述晶圆的边缘之间存在未重叠区域时，则确定出对应的所述第二曝光排布区域的目标移动量和目标移动方向；步骤S4、按照所述目标移动量和所述目标移动方向，将对应的所述第二曝光排布区域相对所述第一曝光排布区域错位移动至覆盖所述未重叠区域，此时设置于每个所述第二管芯曝光场内的管芯与每个所述第一管芯曝光场内的管芯一一对应。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北海惠科半导体科技有限公司 晶圆管芯曝光场的排布方法、晶圆的制备方法及晶圆
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