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申请/专利权人：深圳市昇维旭技术有限公司
申请日：2024-04-03
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN117995772B
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L23/538;H10B41/20;H10B41/30;H10B43/20;H10B43/30
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括衬底、堆叠结构、覆盖层、金属硅化物层和阶梯连接结构，堆叠结构形成在衬底一侧，堆叠结构包括多个交替堆叠的多晶硅层和隔离层，堆叠结构至少一侧形成阶梯面；覆盖层形成在堆叠结构上并覆盖阶梯面，多个接触孔穿过覆盖层以分别连通多个多晶硅层；金属硅化物层形成在接触孔内且至少位于接触孔的底面；阶梯连接结构填充在接触孔内，阶梯连接结构包括导电层，导电层通过金属硅化物层与多晶硅层连接。至少形成在接触孔底面的金属硅化物层，增大了金属硅化物层和多晶硅层的接触面积，降低了阶梯连接结构和多晶硅层之间的接触阻抗。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；多个膜层对，竖直地堆叠在所述衬底一侧以形成堆叠结构，所述膜层对包括依次堆叠的隔离层和多晶硅层，所述堆叠结构至少一侧形成阶梯面；覆盖层，形成在所述堆叠结构上并覆盖所述阶梯面，多个接触孔穿过所述覆盖层以分别连通多个所述多晶硅层，所述接触孔延伸至所述多晶硅层中；金属硅化物层，形成在所述接触孔内且至少位于所述接触孔的底面，所述接触孔的底面为所述接触孔位于所述覆盖层的区段的竖直投影覆盖的部分内壁；其中，至少所述金属硅化物层靠近所述接触孔的所述底面一侧还形成有掺杂多晶材料层，所述掺杂多晶材料层形成于所述接触孔内，所述掺杂多晶材料层包括多晶硅；阶梯连接结构，填充在所述接触孔内，所述阶梯连接结构包括导电层，所述导电层通过所述金属硅化物层和所述掺杂多晶材料层与所述多晶硅层连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市昇维旭技术有限公司 半导体器件及其制作方法
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