龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265303A
主分类号：H10B43/30
分类号：H10B43/30;H10B43/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种三维3D存储器器件包括存储器阵列器件、外围器件、蚀刻停止层和背面栅极线缝隙。该存储器阵列器件包括正面和背面、多个存储器串以及位于阶梯结构中的耦接至所述多个存储器串的多条字线。该外围器件位于该存储器阵列器件的正面之上。该蚀刻停止层位于存储器阵列器件和外围器件之间。该背面栅极线缝隙穿过存储器阵列器件的背面延伸至该蚀刻停止层。该背面栅极线缝隙包括导电栅极线层和绝缘栅极线层。该3D存储器器件可以提高制造效率，提高成品率，减小热应力，降低氟污染，增大叠加窗口并且降低叠加误差。
主权项：1.一种三维存储器器件，包括：具有正面和背面的存储器阵列器件，所述存储器阵列器件包括耦接至阶梯结构中的多条字线的多个存储器串；设置在所述存储器阵列器件的所述正面上的蚀刻停止层；设置在所述蚀刻停止层上的外围器件，所述蚀刻停止层位于所述存储器阵列器件和所述外围器件之间；以及穿过所述存储器阵列器件的所述背面延伸至所述蚀刻停止层的背面栅极线缝隙，所述背面栅极线缝隙包括导电栅极线层和绝缘栅极线层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于降低晶圆弯曲的栅极线结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号