申请/专利权人:中国科学院上海技术物理研究所
申请日:2024-03-26
公开(公告)日:2024-06-25
公开(公告)号:CN118248704A
主分类号:H01L27/146
分类号:H01L27/146
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.25#公开
摘要:本发明公开了一种小间距红外焦平面混成互连铟柱结构及其制备方法。该方法分别在光敏芯片与读出电路两端设计并制备矩形铟柱凸点结构;该矩形铟柱凸点结构在倒焊互连产生偏移方向上增加了接触面积,一方面提高了偏移方向上的摩擦阻力,起到一定的倒焊偏移抑制效果,另一方面在倒焊偏移仍然存在的情况下,增加单像元的电学连通概率,从而提高红外焦平面探测器的有效像元率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制,尤其适用于对倒焊偏差敏感的高密度小像元焦平面阵列。
主权项:1.一种小间距红外焦平面混成互连铟柱结构,其特征在于:所述结构由光敏芯片和读出电路组成,光敏芯片上设计并制备矩形扩展电极和矩形铟柱结构,读出电路上采用与光敏芯片相同或不同尺寸的矩形扩展电极和矩形铟柱结构。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院上海技术物理研究所 一种小间距红外焦平面混成互连铟柱结构及其制备方法
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