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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2023-12-11
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231349A
主分类号：H01L21/8238
分类号：H01L21/8238;H01L27/092
优先权：["20230301 US 63/487,667","20230525 US 18/323,587"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：提供了半导体结构及其形成方法。本公开实施例的方法包括：接收工件，工件包括位于衬底上方的底部源极漏极部件、位于底部源极漏极部件上方的第一介电层、位于第一介电层上方的顶部源极漏极部件以及位于顶部源极漏极部件上方的第二介电层；穿过第二介电层形成前侧开口以暴露顶部源极漏极部件的部分；在顶部源极漏极部件的暴露部分上选择性沉积第一硅化物层；在第一硅化物层上方形成顶部金属填充层以填充前侧开口；穿过衬底形成背侧开口以暴露底部源极漏极部件的部分；在底部源极漏极部件的暴露部分上选择性沉积第二硅化物层；以及在第二硅化物层上形成底部金属填充层。
主权项：1.一种形成半导体结构的方法，包括：接收工件，所述工件包括位于衬底上方的底部源极漏极部件、位于所述底部源极漏极部件上方的第一介电层、位于所述第一介电层上方的顶部源极漏极部件以及位于所述顶部源极漏极部件上方的第二介电层；穿过所述第二介电层形成前侧开口以暴露所述顶部源极漏极部件的部分；在所述顶部源极漏极部件的暴露部分上选择性沉积第一硅化物层；在选择性沉积所述第一硅化物层之后，在所述第一硅化物层上方形成顶部金属填充层以填充所述前侧开口；穿过所述衬底形成背侧开口以暴露所述底部源极漏极部件的部分；在所述底部源极漏极部件的暴露部分上选择性沉积第二硅化物层；以及在选择性沉积所述第二硅化物层之后，在所述第二硅化物层上形成底部金属填充层以填充所述背侧开口，其中，所述第一硅化物层的组分与所述第二硅化物层的组分不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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