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申请/专利权人：亮锐有限责任公司
申请日：2022-11-09
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118235259A
主分类号：H01L33/22
分类号：H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00;H01L27/15
优先权：["20211112 US 63/278670","20221107 US 17/981889"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：描述了在衬底上具有图案化电介质层的发光二极管LED器件以及用于在其上有效生长外延III族氮化物层的方法。在进行任何图案化之前，在衬底上生长包括III族氮化物材料的成核层。图案化电介质层包括第一多个特征和第二多个特征，其中第二多个特征的高度大于第一多个特征的高度。第二多个特征与沟槽的阴极层对准。
主权项：1.一种发光二极管LED器件包括：在衬底上的成核层，所述成核层包括第一III族氮化物材料；在所述成核层的顶表面上的图案化电介质层，所述图案化电介质层包括第一多个特征、与所述第一多个特征相邻的第二多个特征、以及在所述第一多个特征和所述第二多个特征之间的多个间隔，所述第一多个特征和所述第二多个特征从所述成核层的顶表面突出，所述第二多个特征具有大于所述第一多个特征的第一高度的第二高度，并且所述多个间隔暴露所述成核层的顶表面；在所述第一多个特征上和所述多个间隔上的III族氮化物层，所述III族氮化物层包括第二III族氮化物材料；和与所述第二多个特征对准并直接接触所述第二多个特征的金属接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 亮锐有限责任公司 具有低折射率图案化结构的薄膜LED阵列
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