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申请/专利权人：太原理工大学
申请日：2024-01-25
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118225730A
主分类号：G01N21/41
分类号：G01N21/41
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种大面积拓扑光子晶体折射率传感器，涉及纳米激光技术领域，包括：条形光波导结构和三角形微谐振腔结构，条形光波导结构是由一种在硅背景中分别嵌入偏转角为、花瓣状孔径的光子晶体构成，偏转角为的花瓣状光子晶体具有C3v对称性标记为“C3v”；偏转角为、的花瓣状光子晶体打开了狄拉克锥为谷光子晶体，标记为“VPCA”和“VPCB”。所述三角形微谐振腔结构其中微谐振腔蚀刻成型在所述条形光波导下方形成，其外部由谷光子晶体VPCA构成，内部用谷光子晶体VPCB填充，边长。所述条形光波导结构的上方与VPCB谷光子晶体紧密接触，下方与VPCA谷光子晶体紧密接触。本发明解决了目前拓扑光学传感器灵敏度低、难以提升检测范围的技术问题。
主权项：1.一种大面积拓扑光子晶体折射率传感器，包括：条形光波导结构和三角形微谐振腔结构，条形光波导结构是由一种在硅背景中分别嵌入偏转角为、、花瓣状孔径的光子晶体构成，偏转角为的花瓣状光子晶体具有C3v对称性标记为“C3v”；偏转角为、的花瓣状光子晶体打开了狄拉克锥为谷光子晶体，标记为“VPCA”和“VPCB”。所述三角形微谐振腔结构其中微谐振腔蚀刻成型在所述条形光波导下方形成所述三角形微谐振腔结构；条形光波导结构是由一种在硅背景中分别嵌入偏转角为、、花瓣状孔径的光子晶体构成，偏转角为的花瓣状光子晶体具有C3v对称性标记为“C3v”；偏转角为、的花瓣状光子晶体打开了狄拉克锥为谷光子晶体，标记为“VPCA”和“VPCB”。VPCA、VPCB光子晶体与所述条形光波导结构上下部分拼接。所述条形光波导结构的上方与VPCB谷光子晶体紧密接触，下方与VPCA谷光子晶体紧密接触，且他们之间的界面至少有在所述条形光波导结构上具有输入端和输出；所述三角形微谐振腔结构包括一组VPCA的光子晶体晶胞和一组VPCB的光子晶体晶胞，所述三角形微谐振腔结构外部由VPCA的光子晶体晶胞组成，内部由VPCB的光子晶体晶胞组成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 太原理工大学 一种大面积拓扑光子晶体折射率传感器
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