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申请/专利权人：国家纳米科学中心
申请日：2022-01-25
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN114442207B
主分类号：G02B5/00
分类号：G02B5/00;G02F1/015
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.05.24#实质审查的生效;2022.05.06#公开
摘要：本发明公开的一种范德华异质结负折射聚焦器件，包括由下至上依次设置的基底层、氧化钼层和石墨烯层；金属天线设置在氧化钼层上以及石墨烯层上；氧化钼层和石墨烯层构成石墨烯氧化钼范德华异质结。本发明通过基于氧化钼和石墨烯的范德华异质结来实现深亚波长负折射。无需复杂的微纳加工过程，能够有效避免反射和散射损耗。氧化钼声子极化激元与石墨烯表面等离激元所形成的混合拓扑极化激元可以通过对石墨烯费米能的调控实现对其色散轮廓的调控，从而实现界面处的深亚波长负折射，在此基础上，通过控制金属天线的位置，实现了全角负折射聚焦。
主权项：1.一种范德华异质结负折射聚焦器件，其特征在于，包括由下至上依次设置的基底层、氧化钼层、石墨烯层和金属天线；所述金属天线设置在所述氧化钼层上以及所述石墨烯层上；所述氧化钼层和所述石墨烯层构成石墨烯氧化钼范德华异质结；所述氧化钼层的平面几何尺寸为10um-500um；所述氧化钼层的厚度为10nm-1um；所述石墨烯层的平面几何尺寸为1um-100um；所述石墨烯层为单层石墨烯；所述金属天线的平面几何尺寸为5nm-30um；所述金属天线的厚度5nm-5um。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国家纳米科学中心 一种范德华异质结负折射聚焦器件
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