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【发明公布】DDR拓扑结构及PCB板_西安智多晶微电子有限公司_202410658479.1 

申请/专利权人:西安智多晶微电子有限公司

申请日:2024-05-27

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN118234129A

主分类号:H05K1/18

分类号:H05K1/18;H05K1/02

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.21#公开

摘要:本发明公开了一种DDR拓扑结构及PCB板,该DDR拓扑结构包括连接中心节点和控制信号发送端的主段走线,通过至少一段端接走线与端接电阻相连的第一DDR,和分别通过多段分段走线与中心节点相连的第二DDR。由于本发明提供的DDR拓扑结构并非对称设置的,因此这样的DDR拓扑结构能够实现奇数个DDR的布局、提高信号完整性;同时由于第一DDR与端接电阻端接,端接电阻能够减少第一DDR的信号反射,提高信号质量;并且,DDR拓扑结构中的各种器件分别沿着多个方向分布,相较于只沿着一个方向链状排布的fly‑by拓扑结构能够减少布线面积。

主权项:1.一种DDR拓扑结构,其特征在于,包括:主段走线,所述主段走线连接中心节点和控制信号发送端;第一DDR,所述第一DDR通过至少一段端接走线与端接电阻相连,其中,所述中心节点位于所述第一DDR与所述端接电阻之间;多个第二DDR,所述多个第二DDR通过多段分段走线与所述中心节点相连。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安智多晶微电子有限公司 DDR拓扑结构及PCB板

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