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含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物 

申请/专利权人:信越化学工业株式会社

申请日:2021-12-22

公开(公告)日:2024-06-11

公开(公告)号:CN114660896B

主分类号:G03F7/09

分类号:G03F7/09;G03F1/76;C07F7/18

优先权:["20201223 JP 2020-214294"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.11#授权;2022.07.12#实质审查的生效;2022.06.24#公开

摘要:本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。本发明的课题是:提供可形成无论负显影、正显影,对于任何抗蚀剂图案均具良好的密接性,而且对于如EUV曝光的更微细的图案也具良好的密接性的抗蚀剂下层膜的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物,其特征为:含有1种以上的下列通式1表示的硅化合物A‑1的水解物或水解缩合物中的任一者、或其两者。

主权项:1.一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物,其特征为:含有1种以上的下列通式1表示的硅化合物A-1的水解物或水解缩合物中的任一者、或其两者; 上述通式1中,R1为氢原子或碳数1~30的1价有机基团,R2为烷氧基、酰氧基、或卤素原子;n1为0、1或2;R3、R4各自独立地为氢原子,或为也可含有氮原子、氧原子、硫原子、卤素原子、或硅原子的碳数1~6的有机基团,R3与R4也可键结并形成环;R5为碳数1~30的1价有机基团;n2为0、1、2或3;Y为单键或也可含有硅原子的碳数1~6的2价有机基团;Z为碳原子或硅原子。

全文数据:

权利要求:

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