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含有烷氧基的抗蚀剂下层膜形成用组合物 

申请/专利权人:日产化学株式会社

申请日:2022-11-09

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN118215886A

主分类号:G03F7/11

分类号:G03F7/11;C08G59/26;C08G59/40;G03F7/004;H01L21/027

优先权:["20211110 JP 2021-183314"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.05#实质审查的生效;2024.06.18#公开

摘要:一种EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其含有膜形成成分和溶剂,上述膜形成成分包含20质量%以上的含有特定结构的成分,上述含有特定结构的成分包含含有芳香族环的第1结构和含有氮原子的第2结构中的至少任一者,上述第1结构包含与上述芳香族环直接连接的下述式1所示的基团,上述第2结构包含与上述氮原子直接连接的下述式1所示的基团。在式1中,R1表示碳原子数1~6的亚烷基,R2表示氢原子、碳原子数1~6的烷基、或总碳原子数2~10的烷氧基烷基。*表示结合键。*‑R1‑O‑R2。

主权项:1.一种EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其含有膜形成成分和溶剂,所述膜形成成分包含20质量%以上的含有特定结构的成分,所述含有特定结构的成分包含含有芳香族环的第1结构和含有氮原子的第2结构中的至少任一者,所述第1结构包含与所述芳香族环直接连接的下述式1所示的基团,所述第2结构包含与所述氮原子直接连接的下述式1所示的基团, 在式1中,R1表示碳原子数1~6的亚烷基,R2表示氢原子、碳原子数1~6的烷基、或总碳原子数2~10的烷氧基烷基;*表示结合键。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 日产化学株式会社 含有烷氧基的抗蚀剂下层膜形成用组合物

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