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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本发明提供一种具有high‑klow‑k复合介质结构的AlGaNGaNHEMT及制备方法，该AlGaNGaNHEMT包括：高K介质层所述高K介质层位于缓冲层中并被缓冲层和衬底包覆。本发明在缓冲层中引入了高K介质和低K介质的复合介质结构，高K介质和低K介质的复合介质结构能够改变电场分布从而提高器件的击穿电压，还增加了背势垒层，背势垒层可以提高沟道到缓冲层的电子势垒高度，从而降低AlGaNGaNHEMT器件缓冲层的背景载流子浓度并抑制沟道电子向势垒层扩散，从而减小流经器件缓冲层的泄漏电流，提高耐压能力。在相同栅源电压下，AlxGa1‑xN缓冲层的Al组分越高器件的泄漏电流越低，从而器件的击穿电压越高。
主权项：1.一种具有high-klow-k复合介质结构的AlGaNGaNHEMT，其特征在于，包括：高K介质层所述高K介质层位于缓冲层中并被缓冲层和衬底包覆；还包括：多个低K介质层；所述低K介质层位于所述高K介质层中并被所述高K介质层和所述衬底包覆；所述高K介质层覆盖所述低K介质层的顶面；还包括：背势垒层、GaN层和AlGaN势垒层；所述背势垒层位于GaN层与所述缓冲层、衬底之间，并与所述GaN层、所述缓冲层和所述衬底邻接；所述背势垒层的第一延伸部位于所述GaN层与所述缓冲层之间并与所述GaN层和所述缓冲层邻接；所述背势垒层的第二延伸部位于所述GaN层与所述衬底之间并与所述GaN层、所述缓冲层和所述衬底邻接；所述AlGaN势垒层位于所述GaN层上方并与GaN层邻接；所述高K介质层与所述低K介质层交替排列；将缓冲层的组分设为AlxGa1-xN，将背势垒层的组分设为AlyGa1-yN，X=0.25，Y=0.03。
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百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法
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