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申请/专利权人：重庆康泰雄昊科技有限公司

摘要：本发明提供一种台面型AlGaNGaN异质结双极晶体管器件，包括Al2O3衬底，顺序层叠于Al2O3衬底上的第一本征GaN缓冲层、第二本征GaN缓冲层、GaN衬底层、GaN集电区、GaN亚集电区、第一本征GaN阻挡层、GaN基区薄层、第二本征GaN阻挡层、AlxGa1‑xN层、AlrGa1‑rN渐变层和GaN帽层，GaN帽层至GaN亚集电区刻蚀形成左右侧梯形台面，左侧梯形台面特定区域磷离子注入，右侧梯形台面特定区域氟化硼离子注入，整个器件表面形成有氧化薄膜层，在电极接触孔位置对应的氧化薄膜层刻蚀有对应电极窗口，对应电极窗口上形成有多晶硅层，对应电极窗口处形成有电极引线。本发明还提供一种前述器件制备方法。本申请能提高器件可靠性、特征频率和击穿电压，制备方法能与主流化合物半导体工艺制程兼容。

主权项：1.一种台面型AlGaNGaN异质结双极晶体管器件，其特征在于，包括Al2O3衬底，所述Al2O3衬底表面形成有第一本征GaN缓冲层，所述Al2O3衬底和第一本征GaN缓冲层之间形成有AlN过渡层，所述第一本征GaN缓冲层表面形成有第二本征GaN缓冲层，所述第二本征GaN缓冲层表面形成有N型磷掺杂GaN衬底层，所述第一本征GaN缓冲层的厚度为2μm，所述第二本征GaN缓冲层的厚度为1μm，所述GaN衬底层的厚度为2μm，所述GaN衬底层表面形成有N型磷掺杂GaN集电区，所述GaN集电区表面形成有N型磷掺杂GaN亚集电区，所述GaN亚集电区表面形成有未掺杂第一本征GaN阻挡层，所述第一本征GaN阻挡层表面形成有P型掺硼的GaN基区薄层，所述GaN基区薄层表面形成有未掺杂第二本征GaN阻挡层，所述第二本征GaN阻挡层表面形成有N型砷掺杂AlxGa1-xN层，所述AlxGa1-xN层表面形成有N型砷掺杂AlrGa1-rN渐变层，渐变层中Al的摩尔组分r自下而上从x渐变至0，所述AlrGa1-rN渐变层表面形成有N型砷掺杂GaN帽层，所述GaN帽层至GaN亚集电区刻蚀形成左侧梯形台面和右侧梯形台面，所述左侧梯形台面集电极接触孔区域离子注入有磷，所述右侧梯形台面基区电极接触孔区域离子注入有氟化硼，所述器件表面形成有氧化薄膜层，左侧集电区电极、右侧基区电极和中间发射区电极接触孔位置对应的氧化薄膜层刻蚀形成有对应电极窗口，所述对应电极窗口上形成有磷掺杂多晶硅层，所述对应电极窗口处形成有金属电极引线。

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