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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种具有增强型折叠形状的AlGaNGaNMISHEMT器件，主要解决现有同类器件功耗和导通电阻过大的问题。其包括衬底、GaN缓冲层2、AlGaN势垒层3及源、漏电极4，5，该GaN缓冲层采用侧面为凸字型的折叠型结构，其上表面为AlGaN势垒层；该势垒层的上表面刻蚀有栅氧化层8，上部两侧与其下端之间设有AlGaN介质层7；该介质层的外围与凸字形上部的栅氧化层上方包围有栅极6，源、漏电极分别包裹在GaN缓冲层的左右两侧。本发明提高了器件的阈值电压，使器件从耗尽型变为增强型，且折叠型结构能增大器件漂移区宽度，降低器件导通电阻，可用于微波功率放大器微波集成电路。
主权项：1.一种具有增强型折叠形状的AlGaNGaNMISHEMT功率器件，包括：衬底1、GaN缓冲层2、AlGaN势垒层3及漏极4、源极5、栅极6，其特征在于：所述GaN缓冲层2采用侧面为凸字形的折叠型结构，其上表面为AlGaN势垒层3；所述该势垒层3，其上表面刻蚀有栅氧化层8，以减小异质结处二维电子气2DEG浓度，其上部两侧与其下端之间设有AlGaN介质层7，形成电流沟道；所述栅极6包围在AlGaN介质层7的外围与凸字形顶部的栅氧化层8的上方；所述漏极4和源极5分别包裹在凸字形GaN缓冲层2的左右两端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 具有增强型折叠形状的AlGaN/GaN MIS高电子迁移率晶体管及制作方法
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