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申请/专利权人：德州仪器公司
摘要：本申请实施例涉及一种具有经改进RDS*CGD的LDMOS晶体管及形成所述LDMOS晶体管的方法。在所描述实例中，通过以下方式来改进横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管100的Rds*Cgd优值FOM：形成在若干深度D1D2处具有若干掺杂剂植入物的漏极漂移区域112，及形成在若干深度D3D4D5处具有若干掺杂剂植入物的阶梯状背栅极区域128以毗连所述漏极漂移区域112。
主权项：1.一种晶体管，其包括：半导体基板，其具有顶面；栅极，其位于所述顶面的上方；第一漏极漂移区域，其在所述顶面附近，且部分地延伸于所述栅极下方；第一背栅极区域，其与所述栅极下方的所述第一漏极漂移区域交错；第二漏极漂移区域，其位于所述第一漏极漂移区域下方，且与所述栅极下方的所述第一背栅极区域交错；第二背栅极区域，其位于所述第一背栅极区域及所述第二漏极漂移区域下方；顶部漏极漂移区域，其在所述顶面及所述第一漏极漂移区域之间；漏极掺杂剂浓度峰DCP，其在所述顶部漏极漂移区域及所述第一漏极漂移区域之间，所述漏极DCP部分地延伸于所述栅极下方；顶部背栅极区域，其位于所述栅极及所述第一背栅极区域之间；及背栅极DCP，其在所述顶部背栅极区域及所述第一背栅极区域之间，所述背栅极DCP部分地延伸于所述栅极及所述漏极DCP下方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 德州仪器公司 具有经改进RDS*CGD的LDMOS晶体管及形成所述LDMOS晶体管的方法
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