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申请/专利权人：福建康博电子技术股份有限公司

摘要：本发明公开了一种基于低RDS的N沟道增强型MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底，以及在半导体衬底上生长出的外延层；金属层，金属层设置于外延层上；沟槽结构，设置于外延层中，沟槽结构包括至少两个器件单胞，器件单胞包括第一沟槽和两个第二沟槽，两个第二沟槽分别设置于第一沟槽的两侧，第一沟槽内壁覆盖有源极介质层，且内部填充有源极多晶硅；第一沟槽和两个第二沟槽的槽口由绝缘介质层覆盖；两个器件单胞之间还设置有N掺杂深阱部。本方案能够解决现有技术MOSFET中降低了栅氧电场，但是随着P+栅氧保护区的引入，使得器件导通电阻变大的技术问题。

主权项：1.一种基于低RDS的N沟道增强型MOSFET器件，其特征在于，包括：半导体衬底，以及在所述半导体衬底上生长出的外延层，所述外延层在朝向所述半导体衬底的方向上依次设置有源区、P型阱区，N型第一外延区和N型第二外延区；金属层，所述金属层设置于所述源区背离所述P型阱区的一侧上；沟槽结构，所述沟槽结构设置于所述外延层中，且所述沟槽结构从所述源区向所述N型第一外延区延伸，所述沟槽结构包括至少两个器件单胞，所述器件单胞包括第一沟槽和两个第二沟槽，所述两个第二沟槽分别设置于所述第一沟槽的两侧，且所述第一沟槽的深度比所述两个第二沟槽的深度深；所述第一沟槽内壁覆盖有源极介质层，且内部填充有源极多晶硅；所述两个第二沟槽中的任一沟槽靠近槽底的一侧设置有多晶硅屏蔽场板，靠近槽口的一侧设置有多晶硅栅，且所述两个第二沟槽中的任一沟槽内还填充有氧化层，且所述氧化层包裹所述多晶硅屏蔽场板和所述多晶硅栅极，所述两个第二沟槽中的其他沟槽内壁覆盖有栅介质层，且内部填充有多晶硅栅；所述第一沟槽和所述两个第二沟槽的槽口由绝缘介质层覆盖，所述绝缘介质成中具有第一接触孔和第二接触孔，所述两个第二沟槽中的其他沟槽的多晶硅栅与所述源区和P型阱区通过第一接触孔连接到所述金属层形成源极，所述两个第二沟槽中的任一沟槽的多晶硅栅通过第二接触孔连接到所述金属层形成栅极；所述半导体衬底背离所述金属层的一侧与所述金属层形成漏极；所述两个器件单胞之间还设置有N掺杂深阱部。

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