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申请/专利权人：华映科技(集团)股份有限公司
摘要：一种Midcom结构阵列基板工艺方法，包括：在玻璃基板上形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层；涂布一层有机光阻，作为平坦层并进行图案化，源极位置进行开孔；沉积第一透明电极层、第四绝缘层，共用第五绝缘层的光罩，进行图案化开孔；形成第三金属层、第五绝缘层，并进行图案化开孔，该层绝缘层在面内作为像素电容；沉积第二透明电极层。本发明在不增加光罩成本情况下，优化工艺，共用第五绝缘层光罩，变更触控金属层与公共电极的成膜顺序，在前制程优先刻蚀掉像素电容以下的几道绝缘层，通过电极桥接的方式，有效避免了不同膜层干蚀刻残留的问题。
主权项：1.一种Midcom结构阵列基板工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步：采用PVD方式在玻璃基板上沉积并图案化形成第一金属层，为栅极金属层；第二步：采用CVD方式沉积一层第一绝缘层，为栅极绝缘层；第三步：采用PVD方式沉积一层有源层，并进行图案化；第四步：采用CVD方式沉积一层第二绝缘层，为刻蚀阻挡层；第五步：对第二绝缘层进行开孔-第一过孔，使第二金属层与第一栅极金属层相连接；第六步：采用PVD方式沉积并图案化形成第二金属层，为源漏极金属层；第七步：采用CVD方式沉积一层第三绝缘层，为钝化绝缘层；第八步：涂布一层有机光阻，作为平坦层并进行图案化，源极位置进行开孔-第二过孔；第九步：采用PVD方式沉积第一透明电极层，并进行图案化，此电极层作为公共电极；第十步：采用CVD方式沉积一层第四绝缘层，为钝化绝缘层，并进行图案化开孔-第三过孔；第十一步：共用第五绝缘层的光罩，进行图案化开孔，先形成第四过孔之一；第十二步：采用PVD方式沉积并图案化形成第三金属层，为触控金属层；第十三步：采用CVD方式沉积一层第五绝缘层，并进行图案化开孔-第四过孔之二，该层绝缘层在面内作为像素电容；第十四步：采用PVD方式沉积第二透明电极层，并进行图案化，此电极层作为像素电极。
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权利要求：
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