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申请/专利权人：福州大学;闽都创新实验室
摘要：本发明涉及一种大面积CZTSSe太阳电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括Ag电极、ITOCdS窗口层、CZTSSe吸收层和衬底，所述ITOCdS窗口层由CdS层和ITO层组成；其制备方法包括：（1）清洗衬底，然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干，得到洁净的衬底；（2）在洁净的衬底上制备CZTSSe前驱体薄膜；采用高温硒化技术，硒化前驱体薄膜，得到结晶性良好的CZTSSe吸收层；（3）利用化学水浴沉积法和磁控溅射法，在CZTSSe吸收层上依次沉积CdS层和ITO层；（4）利用真空蒸镀技术在ITO层上沉积Ag电极。该太阳电池提高了大面积CZTSSe太阳电池器件的填充因子，进而提高了器件性能。
主权项：1.一种大面积CZTSSe太阳电池，其特征在于，沿入射光方向，依次包括Ag电极、ITOCdS窗口层、CZTSSe吸收层和衬底，所述ITOCdS窗口层由CdS层和ITO层组成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福州大学 闽都创新实验室 一种大面积CZTSSe太阳电池及其制备方法
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