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申请/专利权人：许昌学院
摘要：本发明提供了一种过渡金属掺杂MoSe2膜及其制备方法和应用、CZTSSe电池。该过渡金属掺杂MoSe2膜厚度为60‑90nm，过渡金属为V、Nb或Ta。其制备为：1在Mo薄膜表面沉积一层过渡金属膜；2将沉积过渡金属膜的Mo薄膜与过量硒粒一起密封后，在惰性气体氛围下进行热退火处理，自然冷却至室温即得过渡金属掺杂MoSe2膜。本发明通过在MoSe2中掺杂过渡金属元素，用于CZTSSe电池中时，促使CZTSSe吸收层和MoSe2由肖特基接触转变成欧姆接触，降低背界面载流子传输势垒，降低界面复合，提高器件的光电转换效率，所得CZTSSe太阳能电池背界面势垒较低，光电转换效率有明显提升。
主权项：1.一种过渡金属掺杂MoSe2膜，其特征在于，所述膜厚度为60-90nm，所述过渡金属为V、Nb或Ta。
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权利要求：
百度查询： 许昌学院 过渡金属掺杂MoSe2膜及其制备方法和应用、CZTSSe电池
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