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申请/专利权人：河南大学
摘要：本发明提供了一种CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法，具体步骤如下：（1）利用铜粉、锌粉、锡粉、硒粉和硫粉制备CZTSSe前驱体溶液及其薄膜，将CZTSSe前驱体薄膜硒化处理，制得CZTSSe吸收层薄膜；（2）使用热蒸发法在CZTSSe吸收层薄膜上热蒸一层GeSe2，热蒸发时将腔室抽真空；（3）将步骤（2）中得到的沉积GeSe2后的薄膜在快速升温炉中进行表面后处理，处理时快速升温炉中保持惰性气体氛围；（4）处理完毕后，待快速升温炉自然冷却至室温后将薄膜取出，得到改性CZTSSe吸收层薄膜。使用此工艺处理后的CZTSSe薄膜太阳能电池光电转换效率由9.71%提高到11.38%。
主权项：1.一种CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法，其特征在于：在CZTSSe吸收层薄膜上热蒸一层GeSe2，GeSe2厚度为5-9nm；具体步骤如下：（1）利用铜粉、锌粉、锡粉、硒粉和硫粉制备CZTSSe前驱体溶液及其薄膜，将CZTSSe前驱体薄膜硒化处理，制得CZTSSe吸收层薄膜；（2）使用热蒸发法在步骤（1）制备得到的CZTSSe吸收层薄膜上热蒸一层GeSe2，热蒸发时将腔室抽真空至7×10-4Pa以下；（3）将步骤（2）中得到的沉积GeSe2后的薄膜在快速升温炉中进行表面后处理，处理时快速升温炉中保持惰性气体氛围；其中表面后处理的处理温度为350-400℃、处理时间为300-350s；（4）处理完毕后，待快速升温炉自然冷却至室温后将薄膜取出，得到改性CZTSSe吸收层薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 河南大学 CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法
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