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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利反向阻断功率半导体器件和处理反向阻断功率半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111816695B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010278050.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权反向阻断功率半导体器件和处理反向阻断功率半导体器件的方法是由F.D.普菲尔施设计研发完成，并于2020-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本反向阻断功率半导体器件和处理反向阻断功率半导体器件的方法在说明书摘要公布了：反向阻断功率半导体器件和处理反向阻断功率半导体器件的方法。一种反向阻断功率半导体器件（1）包括：第一负载端子结构（11）和第二负载端子结构（12）；半导体本体（10），其被配置用于在第一负载端子结构（11）与第二负载端子结构（12）之间传导负载电流；多个控制单元（14），其与第一负载端子结构（11）电连接并且包括：正向阻断结（103），其被配置用于在反向阻断功率半导体器件（1）的正向阻断状态中阻断第一负载端子结构（11）与第二负载端子结构（12）之间的正向电压；以及控制电极（150），其借助于控制电极绝缘层（151）与正向阻断结（103）分离并且被配置用于在正向阻断状态与正向导通状态之间切换反向阻断功率半导体器件（1）。

本发明授权反向阻断功率半导体器件和处理反向阻断功率半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种反向阻断功率半导体器件1，包括-第一负载端子结构11和第二负载端子结构12；-半导体本体10，被配置用于在第一负载端子结构11与第二负载端子结构12之间传导负载电流；-多个控制单元14，与第一负载端子结构11电连接并且包括：正向阻断结103，被配置用于在反向阻断功率半导体器件1的正向阻断状态中阻断第一负载端子结构11与第二负载端子结构12之间的正向电压；以及控制电极150，借助于控制电极绝缘层151与正向阻断结103分离并且被配置用于在正向阻断状态与正向导通状态之间切换反向阻断功率半导体器件1；-反向阻断结104，被配置用于在反向阻断功率半导体器件1的反向阻断状态中阻断第一负载端子结构11与第二负载端子结构12之间的反向电压；以及-多个沟槽场板160，被布置在多个场板沟槽16中，每个场板沟槽16包括将沟槽场板160中的一个与反向阻断结104分离的场板绝缘层161，沟槽场板160与第二负载端子结构12电连接，其中场板沟槽16具有场板沟槽深度D，其中多个半导体台地17形成在场板沟槽16之间，其中半导体台地17中的每一个的宽度W小于场板沟槽深度D的一半，其中半导体本体10包括-漂移区100，包括第一导电类型的掺杂剂，以及-第一场停止区108，包括比漂移区100高的掺杂剂浓度的第一导电类型的掺杂剂，第一场停止区108至少部分地在场板沟槽16之间延伸。

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