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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利静电保护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210092972.2，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权静电保护器件是由韦敏侠设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电保护器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种静电保护器件，包括至少一个三极管形成，三极管包括：具有第一导电类型掺杂的第一阱区；具有第二导电类型掺杂的第二漂移区；第一阱区和第二漂移区横向接触并形成第一接触面；在第一阱区的表面选定区域中形成有第二导电类型重掺杂的第一扩散区，第一扩散区和第一接触面之间具有第一间距；在第二漂移区的表面选定区域中形成有第二导电类型重掺杂的第二扩散区，第二扩散区和第一接触面之间具有第二间距；在第一扩散区的远离第一接触面一侧的第一阱区的表面的选定区域中形成有第一导电类型重掺杂的第三扩散区；在第二扩散区底部还形成有第二导电类型的第三阱区。本发明能器件的击穿电压得到保持和提升同时提升静电保护能力。

本发明授权静电保护器件在权利要求书中公布了：1.一种静电保护器件，其特征在于，静电保护器件至少包括一个三极管，所述三极管包括：具有第一导电类型掺杂的第一阱区；具有第二导电类型掺杂的第二漂移区；所述第一阱区和所述第二漂移区横向接触并形成第一接触面；在所述第一阱区的表面选定区域中形成有第二导电类型重掺杂的第一扩散区，所述第一扩散区和所述第一接触面之间具有第一间距；在所述第二漂移区的表面选定区域中形成有第二导电类型重掺杂的第二扩散区，所述第二扩散区和所述第一接触面之间具有第二间距；在所述第一扩散区的远离所述第一接触面一侧的所述第一阱区的表面的选定区域中形成有第一导电类型重掺杂的第三扩散区；在所述第二扩散区底部还形成有第二导电类型的第三阱区；由所述第二漂移区、所述第三阱区和所述第二扩散区一起组成集电区；由所述第一阱区组成基区，所述第三扩散区为所述基区的引出区；由所述第一扩散区组成发射区；所述第一扩散区和所述第三扩散区都连接到由正面金属层组成的发射极；所述第二扩散区连接到由正面金属层组成的集电极；所述第二间距的区域范围为所述集电区的有效耐压区域，所述第三阱区位于所述第二扩散区底部的结构使得所述集电区的有效耐压区域由所述第二漂移区确定，所述静电保护器件的击穿电压由所述第二间距保证或提升，所述第二间距越大，所述静电保护器件的击穿电压越大；所述第三阱区用于降低所述集电区的有效电阻并从而提升静电保护能力；在版图结构上，所述第二扩散区和所述第三阱区的版图结构相同且对齐；所述三极管为PNP，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

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