恭喜华芯威半导体科技(北京)有限责任公司王志超获国家专利权
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龙图腾网恭喜华芯威半导体科技(北京)有限责任公司申请的专利一种低寄生电感功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599505B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011482535.9，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种低寄生电感功率模块是由王志超设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低寄生电感功率模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低寄生电感功率模块，包括底板以及与设置在所述底板上方的外壳；正极端子、负极端子、输出端子、驱动端子从所述外壳的内部穿出；其中，正极端子与负极端子正对设置，向内侧弯折；输出端子位于正极端子、负极端子的侧面，且与正极端子、负极端子呈垂直设置，也向内部弯折；所述驱动端子设置在与所述输出端子相对的另外一侧。本申请降低了功率模块的寄生电感，减少了开关电压、电流波形的振荡；降低了功率模块的寄生电阻，减小了稳态工作时的损耗；安装方便、结构简单；且模块体积小、功率密度高。
本发明授权一种低寄生电感功率模块在权利要求书中公布了：1.一种低寄生电感功率模块，其特征在于，包括底板以及与设置在所述底板上方的外壳；正极端子、负极端子、输出端子、驱动端子从所述外壳的内部穿出；其中，正极端子与负极端子正对设置，向内侧弯折；输出端子位于正极端子、负极端子的侧面，且与正极端子、负极端子呈垂直设置，也向内部弯折；所述驱动端子设置在与所述输出端子相对的另外一侧；在所述正极端子、负极端子与所述输出端子之间的外壳上方设置有绝缘隔条；所述底板上设置有功率绝缘基板，所述功率绝缘基板的上侧的金属层包括分离的正极铜层、负极铜层、输出铜层；所述正极铜层上设置有所述正极端子、上桥开关芯片以及二极管芯片；所述负极铜层上设置有所述负极端子；所述输出铜层上设置有所述输出端子、下桥开关芯片和二极管芯片；部分输出铜层位于正极铜层、负极铜层之间，且呈“T”字形。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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