恭喜东京毅力科创株式会社田中启一获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理装置、基片处理方法和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447502B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010878313.2，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权基片处理装置、基片处理方法和存储介质是由田中启一设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理装置、基片处理方法和存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置1包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中该基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对通过旋转驱动部旋转的保持部所保持的基片的表面照射包含真空紫外光的光，使从光源部对基片的内侧照射光的照射量比从光源部对基片的外侧照射光的照射量大。本发明能够在使用适合于ArF液浸光刻的抗蚀剂材料的基片上改善表面的粗糙度。
本发明授权基片处理装置、基片处理方法和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中所述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使所述保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对通过所述旋转驱动部旋转的所述保持部所保持的所述基片的表面照射包含真空紫外光的光，所述多个光源的每一者照射从该光源内的点光源出射的具有照射范围的光，所述多个光源被设置成，在所述基片旋转时，所述基片的外侧比所述基片的内侧通过更多的光源的照射区域，所述光源部在一边利用所述旋转驱动部使所述基片旋转一边利用所述光源部照射光时，使从所述光源部对所述基片的内侧照射光的照射量比从所述光源部对所述基片的外侧照射光的照射量大，由此，对与所述基片的外侧相比移动速度变慢的所述基片的内侧增加光的照射量，所述真空紫外光为连续光谱的光，包含波长比160nm长的光和波长比160nm短的光。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东京毅力科创株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号