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摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法，包括如下步骤：a、向载有硅片的反应腔室内通入二氧化碳气体，沉积形成氧化硅钝化层；b、形成氧化硅钝化层后，向所述反应腔室内通入硅烷气体，沉积第一本征非晶硅薄膜；c、第一本征非晶硅薄膜形成后，向所述反应腔室内通入硅烷和氢气的混合气体，沉积第二本征非晶硅薄膜。本发明的方法能够在抑制外延的基础上降低对衬底表面的损伤，降低界面载流子复合，提高钝化效果，提高了电池开路电压和转换效率。
主权项：1.一种硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a、向载有硅片的反应腔室内通入二氧化碳气体，沉积形成氧化硅钝化层，其中，所述沉积功率为10-40mWcm2，沉积时间为1-10s，所述二氧化碳气体的流量为1000-5000sccm；b、形成氧化硅钝化层后，向所述反应腔室内通入硅烷气体和氢气，沉积第一本征非晶硅薄膜，其中，所述氢气与所述硅烷气体流量比为0.1-0.5；c、第一本征非晶硅薄膜形成后，向所述反应腔室内通入硅烷和氢气的混合气体，沉积第二本征非晶硅薄膜，其中，所述沉积功率为15-35mWcm2，所述氢气与硅烷流量比为2～25。
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百度查询： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 国家电投集团新能源科技有限公司 硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法
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