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摘要：本发明属于硒化锑薄膜太阳电池技术领域，公开了一种超薄硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法。本发明太阳电池自下而上依次为FTO透明导电玻璃、电子传输层、硒化锑+硒光吸收层以及电极层；其中电子传输层为CdS；光吸收层由硒化锑层和硒层组成，其中硒化锑层厚度40～80nm；硒层厚度为40～60nm；本发明快速热蒸发法RTE在CdS电子传输层上表面生长硒化锑层，对超薄硒化锑薄膜进行后硒化处理，使硒化锑薄膜沿[211]方向择优生长，两步合成了薄膜厚度较薄且致密平整的光吸收层，其厚度远低于常规500nm的硒化锑光吸收层，不仅原材料成本更低且在性能上也有提升。
主权项：1.一种超薄硒化锑薄膜太阳电池，其特征在于：太阳电池自下而上依次为FTO透明导电玻璃、电子传输层、硒化锑+硒光吸收层以及电极层；其中电子传输层为CdS；光吸收层由硒化锑层和硒层组成，其中硒化锑层厚度为40～80nm；硒层厚度为40～60nm。
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百度查询： 常州大学 一种超薄硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法
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