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摘要：本实用新型给出一种具有背接触结构的钝化接触晶硅太阳能电池，该电池具有周期性点阵分布的通孔，电池正面电极与填充通孔的电极相连而延伸到电池背面，电池正面电极的周围邻近区域是与硅衬底掺杂类型相同的局部钝化接触区，电池正面其他区域是与硅衬底掺杂类型相同的高低结区，电池背面是与硅衬底掺杂类型相反的钝化接触区。通过这种结构设计，能够避免电池受光面的整面都采用钝化接触结构，从而解决掺杂多晶硅光学寄生吸收系数高的弊端，并能实现高效的光生载流子提取、传输和收集，还能大幅度降低正面电极遮光率。

主权项：1.一种具有背接触结构的钝化接触晶硅太阳能电池，其特征在于，包括：硅衬底；贯通于所述硅衬底且周期性点阵分布的通孔；所述通孔侧壁从内到外依次由电学绝缘隔离层和第一电极单元覆盖，并由第一电极单元通孔；形成于所述硅衬底第一表面的局部钝化接触区，所述局部钝化接触区具有若干周期性点阵分布的钝化接触单元，所述钝化接触单元为环形区域，其外轮廓包含的整体区域和通孔在硅衬底第一表面的投影具有相同的形状和几何中心，并且所述整体区域的面积大于通孔在硅衬底第一表面的投影面积；所述局部钝化接触区包括隧穿氧化硅和第一掺杂多晶硅，所述第一掺杂多晶硅的掺杂类型与硅衬底相同；形成于所述硅衬底第一表面局部钝化接触区之外的高低结区，所述高低结区的掺杂类型与硅衬底相同；形成于所述硅衬底第一表面的减反膜；形成于所述硅衬底第一表面的第二电极，所述第二电极具若干周期性点阵分布的第二电极单元，所述第二电极单元和通孔在硅衬底第一表面的投影具有相同的形状和几何中心，并且面积大于通孔在硅衬底第一表面的投影面积，小于或等于钝化接触单元的面积；形成于所述硅衬底第二表面的电学绝缘隔离区，所述电学绝缘隔离区具有若干周期性点阵分布的电学绝缘隔离单元，所述电学绝缘隔离单元为环形区域，其外轮廓包含的整体区域和通孔在硅衬底第二表面的投影具有相同的形状和几何中心，且所述整体区域的面积大于通孔在硅衬底第二表面的投影面积；形成于所述硅衬底第二表面电学绝缘隔离区之外的钝化接触区，所述钝化接触区包括隧穿氧化硅和第二掺杂多晶硅，所述第二掺杂多晶硅的掺杂类型与硅衬底相反；用于钝化所述硅衬底第二表面的钝化层；形成于通孔与硅衬底第二表面交汇处的第三电极，所述第三电极具若干周期性点阵分布的第一电极单元，所述第三电极单元和通孔在硅衬底第一表面的投影具有相同的形状和几何中心，并且面积小于通孔在硅衬底第二表面的投影面积；所述第一电极单元在与硅衬底第一表面、第二表面交汇处分别连接第二电极单元和第三电极单元；形成于所述硅衬底第二表面钝化接触区的第四电极，所述第四电极与通孔在同一个水平面的投影完全错开。

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