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摘要：公开了一种显示设备。所述显示设备包括:基板，包括显示区域和外围区域；像素电极，位于显示区域中并且彼此分隔开；像素限定层，暴露像素电极的上表面，覆盖像素电极的边缘，并且包括无机绝缘材料；辅助电极，位于像素限定层上；第一中间层，位于像素电极之中的第一像素电极上；第一对电极，位于第一中间层上；第二中间层，位于像素电极之中的第二像素电极上，第二像素电极与第一像素电极相邻；第二对电极，位于第二中间层上，并且经由辅助电极电连接至第一对电极；电源电压供应线，位于外围区域中；以及连接电极层，将辅助电极电连接至电源电压供应线。

主权项：1.一种显示设备，所述显示设备包括：基板，包括显示区域和位于所述显示区域外侧的外围区域；像素电极，位于所述显示区域中并且彼此分隔开；像素限定层，暴露所述像素电极的上表面中的每个的一部分，覆盖所述像素电极的边缘，并且包括无机绝缘材料；辅助电极，位于所述像素限定层上；第一中间层，位于所述像素电极之中的第一像素电极上；第一对电极，位于所述第一中间层上；第二中间层，位于来自所述像素电极之中的第二像素电极上，所述第二像素电极与所述第一像素电极相邻；第二对电极，位于所述第二中间层上，并且经由所述辅助电极电连接至所述第一对电极；电源电压供应线，位于所述外围区域中；以及连接电极层，将所述辅助电极电连接至所述电源电压供应线，其中，所述显示设备还包括：导电保护层，覆盖所述第一对电极和所述第二对电极中的至少一个对电极。

全文数据：显示设备于2018年4月30日在韩国知识产权局提交并且名称为“显示设备”的第10-2018-0050161号韩国专利申请通过引用全部包含于此。技术领域一个或更多个实施例涉及一种显示设备。背景技术有机发光显示设备是一种每个像素包括有机发光二极管的显示设备。有机发光二极管包括像素电极、发光层以及对电极。对于实现全彩色的有机发光显示设备，在每个像素区域中发射不同颜色的光。可以通过使用沉积掩模来形成在多个像素中的每个像素中与发光层一体地形成的对电极。随着有机发光显示设备的分辨率逐渐变得越高，沉积工艺中使用的掩模的开口狭缝的宽度变得越窄，并且开口狭缝的宽度的分布需要逐渐减小。此外，为了制造高分辨率有机发光显示设备，需要减少或消除阴影效应。因此，可以使用一种利用附着到掩模的基板执行沉积工艺的方法。发明内容根据一个或者更多个实施例，显示设备包括：基板，包括显示区域和位于显示区域外侧的外围区域；像素电极，位于显示区域中并且彼此分隔开；像素限定层，暴露像素电极的上表面中的每个的一部分，覆盖像素电极的边缘，并且包括无机绝缘材料；辅助电极，位于像素限定层上；第一中间层，位于像素电极之中的第一像素电极上；第一对电极，位于第一中间层上；第二中间层，位于来自像素电极之中的第二像素电极上，第二像素电极与第一像素电极相邻；第二对电极，位于第二中间层上，并且经由辅助电极电连接至第一对电极；电源电压供应线，位于外围区域中；以及连接电极层，将辅助电极电连接至电源电压供应线。在平面图中，电源电压供应线可以与辅助电极分隔开并且围绕辅助电极的一部分。连接电极层可以位于辅助电极和电源电压供应线上。辅助电极可以与像素限定层的上表面直接接触。所述显示设备还可以包括：导电保护层，覆盖第一对电极和第二对电极中的至少一个对电极。导电保护层的宽度可以大于第一对电极和第二对电极中的至少一个对电极的宽度，并且导电保护层可以与所述至少一个对电极和辅助电极直接接触。连接电极层的材料可以与导电保护层的材料相同。导电保护层可以包括透明导电氧化物。所述显示设备还可以包括：绝缘保护层，覆盖第一对电极和第二对电极中的至少一个对电极。绝缘保护层可以包括无机绝缘材料。所述显示设备还可以包括：绝缘层，覆盖连接电极层，其中，绝缘层包括与绝缘保护层的材料相同的材料。根据一个或者更多个实施例，显示设备包括：像素电极，布置在显示区域中并且彼此分隔开；像素限定层，暴露像素电极的上表面中的每个的一部分，覆盖像素电极的边缘，并且包括无机绝缘材料；辅助电极，位于像素限定层上；第一中间层和第一对电极，都位于像素电极之中的第一像素电极上；第一导电保护层，位于第一对电极上；第二中间层和第二对电极，都位于像素电极之中的第二像素电极上；以及第二导电保护层，位于第二对电极上。辅助电极可以覆盖显示区域，并且包括对应于像素电极的孔。辅助电极可以仅位于像素限定层上。第一导电保护层和第二导电保护层中的每个的端部可以与辅助电极接触。第一导电保护层和第二导电保护层中的至少一个导电保护层可以包括透明导电氧化物。所述显示设备还可以包括分别对应于第一导电保护层和第二导电保护层的第一绝缘保护层和第二绝缘保护层。第一绝缘保护层和第二绝缘保护层可以包括无机绝缘材料。第一绝缘保护层和第二绝缘保护层中的每个的端部可以与辅助电极接触。像素限定层还可以包括：隆起部，位于与像素电极中的每个的端部对应的位置中。显示设备还可以包括位于像素限定层下方的绝缘层，其中，从绝缘层到像素限定层的不与像素电极中的每个叠置的区域的高度小于从绝缘层到隆起部的高度。所述显示设备还可以包括电连接至辅助电极的电源电压供应线。电源电压供应线可以与辅助电极分隔开。所述显示设备还可以包括：连接电极层，将辅助电极电连接至电源电压供应线。连接电极层可以覆盖辅助电极的边缘和电源电压供应线。附图说明通过参照附图对示例性实施例进行详细描述，特征对于本领域技术人员而言将变得清楚，在附图中：图1示出了根据实施例的显示设备的示意性平面图；图2示出了根据实施例的显示设备的像素的等效电路图；图3示出了根据实施例的沿图1的线III-III'截取的显示设备的剖视图；图4A示出了根据实施例的像素限定层的倾斜部的周围的放大图；图4B示出了根据另一实施例的像素限定层的倾斜部的周围的放大图；图5示出了根据另一实施例的显示设备的剖视图；图6示出了根据另一实施例的显示设备的剖视图；图7示出了在根据实施例的显示设备中辅助电极电连接至电源电压供应线的平面图；图8示出了根据实施例的显示设备的剖视图；图9示出了根据另一实施例的显示设备的剖视图；图10示出了根据另一实施例的显示设备的剖视图；图11示出了根据另一实施例的显示设备的剖视图；图12示出了根据实施例的使像素电极图案化的工艺；图13A至图13C示出了根据另一实施例的使与第一像素对应的区域图案化的工艺；图14A至图14C示出了根据另一实施例的使与第二像素对应的区域图案化的工艺；图15A至图15C示出了根据另一实施例的在与第三像素对应的区域中的图案化工艺；以及图15D示出了图15C的图案化工艺的变型实施例。具体实施方式现在将详细参照实施例，附图中示出了实施例的示例，在附图中同样的附图标记始终指示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里所陈述的描述。因此，下面通过参照附图来仅描述实施例，从而解释本说明书的多个方面。如这里所使用的，术语“和或”包括相关所列项中的一个或更多个的任意组合和全部组合。遍及本公开，“a、b、和c中的至少一个”的表述表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部、或者它们的变型。因为本公开允许各种变化和众多实施例，所以将在附图中示出具体的实施例，并将在书面描述中详细地描述具体的实施例。通过下述结合附图公开了各种实施例的详细描述，本公开的效果和特征以及实现它们的方法对于本领域的技术人员而言将变得明显。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里所陈述的实施例。在下文中，将参照附图对实施例进行详细描述。附图中同样的附图标记表示同样的元件，因此将省略它们的描述。将理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个种者”和“该所述”也意图包括复数形式。进一步将理解的是，在这里使用的术语“包括”和或“包含”表明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件上时，该层、区域或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可存在中间层、中间区域或中间组件。为了便于说明，可以夸大附图中的元件的尺寸和厚度。换言之，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。当特定实施例可以被不同地实施时，可以与所描述的顺序不同地执行具体工艺顺序。例如，可基本上同时执行两个连续描述的工艺，或者可按照与所描述的顺序相反的顺序来执行两个连续描述的工艺。将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接至”或者“结合至”另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接连接或者结合”至所述另一层、区域或组件，或者在其中间存在中间元件的情况下“间接地连接至”所述另一层、区域或组件。例如，当层、区域或组件被称为电性地“连接至”或者“结合至”另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接连接或者结合”至所述另一层、区域或组件，或者在其中间存在中间元件的情况下“间接地连接至”所述另一层、区域或组件。图1是根据实施例的显示设备的示意性平面图。如图1中所示，显示设备包括可以显示图像的显示区域DA以及显示区域DA外侧的外围区域PA。这可以理解为图1示出了显示设备的基板100。例如，这可以理解为基板100包括显示区域DA和外围区域PA。在显示区域DA中，布置有发射不同颜色的光的像素。与此相关地，图1示出了分别发射红光、绿光以及蓝光的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。图1示出了第一像素PX1至第三像素PX3以Pentile类型排列的结构，但可以对像素的排列结构进行各种修改。外围区域PA是非显示区域，并且可以包括驱动器、电源电压供应线等，以向像素提供电信号或者电力。外围区域PA可以包括垫或者可以称为焊盘，所述垫提供了在其中电子设备、印刷电路版等可以彼此连接的区域。图2是根据实施例的显示设备的像素的等效电路图。参照图2，像素包括像素电路PC和连接至像素电路PC的显示元件。图2示出了作为显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2以及存储电容器Cst。第二薄膜晶体管T2是连接至扫描线SL和数据线DL的开关薄膜晶体管。当从数据线DL向第二薄膜晶体管T2输入数据电压时，第二薄膜晶体管T2根据从扫描线SL输入的开关电压，将数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接至第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压与向驱动电压线PL供应的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。第一薄膜晶体管T1是与驱动电压线PL和存储电容器Cst连接的驱动薄膜晶体管。第一薄膜晶体管T1可以相应于存储在存储电容器Cst中的电压值而控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流Id。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流Id发射具有特定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极例如，阴极可以接收第二电源电压ELVSS。图2示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管T1和T2以及一个存储电容器Cst。选择性地，薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而进行各种修改。图3是根据实施例的沿图1的线III-III'截取的显示设备的剖视图。参照图3，显示区域DA中的第一像素PX1至第三像素PX3均包括像素电路PC。像素电路PC布置在基板100和绝缘层110之间，并且包括参照图2描述的薄膜晶体管、存储电容器等。基板100可以包括聚合物树脂，例如，聚醚砜PES、聚芳酯PAR、聚醚酰亚胺PEI、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚苯硫醚PPS、聚酰亚胺PI、聚碳酸酯PC、醋酸丙酸纤维素CAP等。绝缘层110可以覆盖像素电路PC。绝缘层110可以是提供平坦表面的平坦化绝缘层。绝缘层110可以包括有机绝缘层，例如，PI等。在基板100和绝缘层110之间，可以包括像素电路PC的组件，例如，薄膜晶体管的半导体层、栅电极、源电极和漏电极以及存储电容器的电极板。此外，还可以在基板100和绝缘层110之间包括可以布置在薄膜晶体管的半导体层与栅电极之间、薄膜晶体管的栅电极与源电极或漏电极之间、或者构成存储电容器的电极板之间的无机绝缘层和或有机绝缘层。第一像素PX1至第三像素PX3可以分别包括均连接至像素电路PC的第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2以及第三有机发光二极管OLED3。第一有机发光二极管OLED1至第三有机发光二极管OLED3中的每个可以包括像素电极、中间层以及对电极。第一有机发光二极管OLED1包括第一像素电极211、第一中间层221以及第一对电极231。第二有机发光二极管OLED2包括第二像素电极212、第二中间层222以及第二对电极232。第三有机发光二极管OLED3包括第三像素电极213、第三中间层223以及第三对电极233。第一中间层221和第一对电极231被图案化为与第一像素电极211对应。第二中间层222和第二对电极232被图案化为与第二像素电极212对应。第三中间层223和第三对电极233被图案化为与第三像素电极213对应。第一像素电极211至第三像素电极213布置在绝缘层110上以彼此分隔开。第一像素电极211至第三像素电极213可以包括反射层，该反射层由银Ag、镁Mg、铝Al、铂Pt、钯Pd、金Au、镍Ni、钕Nd、铱Ir、铬Cr、其化合物等形成。选择性地，第一像素电极211至第三像素电极213可以包括上述反射层以及在该反射层上方和或下方的透明导电氧化物TCO层。TCO层可以例如由氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO、氧化锌ZnO、氧化铟In2O3、氧化铟镓IGO或氧化铝锌AZO形成。在实施例中，第一像素电极211至第三像素电极213可以包括形成为ITOAgITO的三个子层。第一像素电极211至第三像素电极213的端部被像素限定层120覆盖。像素限定层120可以包括对应于每个像素的开口，例如，暴露第一像素电极211至第三像素电极213的中心部分的开口以通过所述开口来对像素进行限定。像素限定层120可以由诸如氮化硅SiNx，x0、氧化硅SiOx，x0、氮氧化硅SiOxNy，x0，y0或碳氧化硅SiOC等的无机绝缘材料形成。如图3中所示，在每个像素的中间层和对电极图案化为与所述像素的像素电极对应的显示设备的制造工艺中，像素限定层120的一部分可以被暴露，并且不被中间层或者对电极的材料覆盖。氧气或者水分可以通过暴露的像素限定层120的一部分渗透。作为比较示例，当像素限定层由有机绝缘材料形成时，像素限定层会提供水分或者氧气会经由其渗透的途径，从而有机发光二极管会由于氧气或者水分而损坏。然而，根据实施例，由于像素限定层120由无机绝缘材料形成，因此可以防止或者大大减少上述问题。辅助电极130布置在像素限定层120上。辅助电极130可以仅布置在像素限定层120上。辅助电极130可以与像素限定层120的上表面直接接触。辅助电极130可以包括具有低电阻金属例如，钼Mo、钛Ti、铜Cu、铝Al或其合金的金属层。选择性地，辅助电极130还可以包括在上述金属层上方和或下方由诸如ITO的材料形成的透明导电氧化物层。第一中间层221至第三中间层223分别布置在通过像素限定层120的开口暴露的第一像素电极211至第三像素电极213上。第一中间层221至第三中间层223可以分别包括发射红光、绿光、蓝光的发光层例如，有机发射层。第一中间层221至第三中间层223可以均包括在发光层上方和或下方的功能层。功能层可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL之中的至少一个。第一中间层221、第二中间层222以及第三中间层223彼此分隔开。相似地，第一中间层221的子层例如，发光层、HIL、HTL、ETL和或EIL与第二中间层222的子层和第三中间层223的子层分隔开。第一对电极231至第三对电极233分别布置在第一中间层221至第三中间层223上。第一对电极231至第三对电极233可以由具有低功函数的导电材料形成。例如，第一对电极231至第三对电极233可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂Li、钙Ca或其合金。在实施例中，第一对电极231至第三对电极233可以包括Al、Ag或Mg和Ag的合金Mg:Ag。在实施例中，第一对电极231至第三对电极233可以包括Ag含量高于Mg含量的合金。虽然第一对电极231至第三对电极233被图案化为分别与第一像素电极211至第三像素电极213对应并且彼此分隔开，但第一对电极231至第三对电极233可以经由辅助电极130彼此电连接。第一对电极231至第三对电极233的端部可以比第一中间层221至第三中间层223的端部延伸得远，从而与辅助电极130直接接触。图4A是根据实施例的像素限定层120的倾斜部的周围的放大图。图4B是根据另一实施例的像素限定层120的倾斜部的周围的放大图。图4A和图4B可以均对应于图3的区IV。参照图4A，像素限定层120由无机绝缘材料形成，并且覆盖第一像素电极211的端部。辅助电极130布置在像素限定层120上。辅助电极130的端部可以与像素限定层120的倾斜部与第一像素电极211的上表面接触的点分隔开距离“d”。因此，可以防止横向电流泄漏。在实施例中，上述距离“d”可以为大约2μm至大约3μm。由于像素限定层120由无机绝缘材料形成，因此可以在像素限定层120与像素电极的端部对应的部分上形成朝向像素限定层120的上表面突出的隆起部。与此相关地，图4A示出了像素限定层120上的隆起部布置在与第一像素电极211的端部对应的位置中，并且示出了，沿z轴，从绝缘层110至隆起部例如，隆起部的顶端的高度h1大于从绝缘层110到不与第一像素电极211叠置的像素限定层120的上表面的高度h2。像素限定层120的倾斜部的角度θ可以小于大约70度，但足够大，以沿z轴提供具有与第一像素电极211的一部分叠置的顶端的隆起部。辅助电极130可以形成为覆盖像素限定层120的上表面的一部分。如图4A中所示，辅助电极130的端部可以与第一像素电极211分隔开，例如，与第一像素电极211的端部分隔开特定距离Δd，例如，使得辅助电极130的端部不与像素限定层120的隆起部或者第一中间层221沿z轴叠置的足够大的距离。选择性地，如图4B中所示，辅助电极130'的端部可以与宽度ΔOW对应地与第一像素电极211的端部叠置，使得辅助电极130'的端部也沿z轴与第一中间层221叠置例如，在第一中间层221下并且与像素限定层120的隆起部叠置。图5是根据另一实施例的显示设备的剖视图。与上面参照图3所描述的显示设备不同，图5的显示设备还可以包括覆盖对电极的导电保护层。参照图3、图4A以及图4B描述了除导电保护层以外的组件。因此，在下文中将描述图5与图3之间的区别。在工艺期间或者在工艺之后，导电保护层可以保护导电保护层下方的一个层或者多个层，例如，对电极、中间层等。与此相关地，图5示出了在各自的像素中均被图案化的第一导电保护层241至第三导电保护层243。第一导电保护层241至第三导电保护层243彼此分隔开，并且可以分别在第一对电极231至第三对电极233上被图案化。第一导电保护层241至第三导电保护层243可以分别覆盖整个第一对电极231至整个第三对电极233。例如，第一导电保护层241可以完全覆盖第一对电极231。同样地，第二导电保护层242可以完全覆盖第二对电极232。第三导电保护层243可以完全覆盖第三对电极233。在实施例中，第一导电保护层241至第三导电保护层243可以分别与第一对电极231至第三对电极233直接接触。第一导电保护层241至第三导电保护层243可以包括具有高导电率和低水蒸气透过速率watervaportransmissionrate，WVTR的透明导电材料，通过该透明导电材料透射从发光层发射的光。例如，第一导电保护层241至第三导电保护层243可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或者AZO的透明导电氧化物。第一导电保护层241至第三导电保护层243可以具有大约至大约1μm的厚度。第一导电保护层241至第三导电保护层243的宽度例如，沿x轴和y轴可以大于第一对电极231至第三对电极233的宽度。与此相关地，图5的放大图示出了第一导电保护层241的端部可以延伸超过第一对电极231的端部，使得第一导电保护层241与辅助电极130的上表面直接接触。同样地，第二导电保护层242的端部可以延伸超过第二对电极232的端部，并且第三导电保护层243的端部可以延伸超过第三对电极233的端部。第一导电保护层241可以用作将第一对电极231连接至辅助电极130的媒介。相似地，第二导电保护层242和第三导电保护层243中的每个分别用作将第二对电极232和第三对电极233中的每个连接至辅助电极130的媒介。图6是根据另一实施例的显示设备的剖视图。不同于上面参照图5所描述的显示设备，图6的显示设备还可以包括绝缘保护层。参照图3、图4A、图4B以及图5描述了除绝缘保护层以外的组件。因此，在下文中将对图6与图3、图4A、图4B以及图5之间的区别进行描述。在工艺期间或者在工艺之后，绝缘保护层可以保护在绝缘保护层下方的一个层或者多个层，例如，导电保护层、对电极、中间层等。与此相关地，图6示出了在各自的像素中均被图案化的第一绝缘保护层251至第三绝缘保护层253。第一绝缘保护层251至第三绝缘保护层253彼此分隔开，并且可以分别在第一导电保护层241至第三导电保护层243上被图案化。第一绝缘保护层251至第三绝缘保护层253可以分别覆盖整个第一导电保护层241至整个第三导电保护层243。第一绝缘保护层251至第三绝缘保护层253的宽度例如，沿x轴和y轴可以分别大于第一导电保护层241至第三导电保护层243的宽度。参照图6的放大图，第一绝缘保护层251的端部可以延伸超过第一导电保护层241的端部，并且与辅助电极130接触。相似地，第二绝缘保护层252的端部可以延伸超过第二导电保护层242的端部，并且与辅助电极130接触。第三绝缘保护层253的端部可以延伸超过第三导电保护层243的端部，并且与辅助电极130接触。第一绝缘保护层251至第三绝缘保护层253可以包括诸如氮化硅、氧化硅等的无机绝缘材料。图7是示出在根据实施例的显示设备中辅助电极130电连接至电源电压供应线的平面图。第一电源电压供应线140和第二电源电压供应线150布置在基板100的外围区域PA中。第一电源电压供应线140向显示区域DA的每个像素提供第一电源电压ELVDD，第二电源电压供应线150向显示区域DA的每个像素提供第二电源电压ELVSS。与此相关地，图7示出了第一电源电压供应线140与基板100的侧边相邻并且沿x轴延伸，并且第二电源电压供应线150沿基板100的边缘延伸例如，沿基板100的不与第一电源电压供应线140相邻的侧边延伸以部分围绕显示区域DA。例如，第二电源电压供应线150可以沿x轴和y轴延伸，从而沿基板100的三个侧边部分地围绕显示区域DA。图7示出了第一电源电压供应线140布置为与基板100的侧边相邻。选择性地，在大型显示设备中，第一电源电压供应线140可以以对称形式布置，以在第一电源电压供应线140的中心处具有显示区域DA，从而防止供应第一电源电压ELVDD的导线中的电压降。辅助电极130可以布置在显示区域DA中。辅助电极130覆盖显示区域DA，并且包括对应于像素电极的孔H。孔H可以彼此分隔开，并且辅助电极130可以形成为一个整体。每个孔H与每个像素电极叠置。辅助电极130可以具有与显示区域DA的除了孔H的区域以外的区域对应的尺寸，因此可以减小其自身的电阻。因此，在小型显示设备和大型显示设备两者中，辅助电极130可以大大减小电压降，并且向每个像素的对电极提供第二电源电压ELVSS。通过使用包括Mo、Ti、Cu等的低电阻金属作为辅助电极130可以有效防止由电压降导致的问题。辅助电极130可以被第二电源电压供应线150部分地围绕。与此相关地，图7示出了第二电源电压供应线150沿具有矩形形状的辅助电极130的三个侧边延伸，从而围绕辅助电极130的一部分。辅助电极130与第二电源电压供应线150分隔开，并且通过连接电极层170电连接至第二电源电压供应线150。连接电极层170可以沿辅助电极130的边缘延伸。例如，如图7中所示，连接电极层170沿具有矩形形状的辅助电极130的三个侧边延伸并且具有其一侧开口的开环形状。连接电极层170可以布置在辅助电极130和第二电源电压供应线150上，并且沿z轴与辅助电极130的一部分和第二电源电压供应线150的一部分叠置。图8是根据实施例的显示设备的剖视图。图8与图7的线VIIIa-VIIIa'和线VIIIb-VIIIb'对应。根据图8的线VIIIa-VIIIa'的剖面示出了显示区域DA。第一有机发光二极管OLED1至第三有机发光二极管OLED3布置在显示区域DA中。上面参照图3至图4B对均布置在显示区域DA中的第一有机发光二极管OLED1至第三有机发光二极管OLED3以及辅助电极130的结构进行了描述。因此，在下文中对外围区域PA进行描述。参照根据图8的线VIIIb-VIIIb'的剖面，第二电源电压供应线150布置在外围区域PA中。在实施例中，第二电源电压供应线150的边缘可以被绝缘层110覆盖，并且第二电源电压供应线150的一部分可以通过绝缘层110的孔暴露。在显示区域DA中，彼此分隔开的第一对电极231至第三对电极233可以经由像素限定层120上的辅助电极130彼此电连接。辅助电极130可以仅布置在像素限定层120上。因此，辅助电极130的边缘的端部与第二电源电压供应线150分隔开。辅助电极130通过连接电极层170电连接至第二电源电压供应线150。连接电极层170可以布置在辅助电极130和第二电源电压供应线150上方，从而沿z轴覆盖辅助电极130的一部分和第二电源电压供应线150的一部分。例如，连接电极层170的与显示区域DA相邻的第一部分例如，内边缘部分可以直接接触辅助电极130的外边缘端部。连接电极层170的定位为远离显示区域DA的第二部分例如，外边缘部分可以直接接触第二电源电压供应线150。图8示出了连接电极层170直接接触第二电源电压供应线150。然而，在另一实施例中，还可以在第二电源电压供应线150和连接电极层170之间布置导电层。导电层可以与像素电极在同一层上，并且由与像素电极的材料相同的材料形成。连接电极层170可以包括与第一对电极231至第三对电极233的材料不同的材料。连接电极层170可以包括具有优异的导电率和低WVTR的金属或透明导电材料。在实施例中，连接电极层170可以由诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或者AZO的透明导电材料形成。连接电极层170可以具有大约至大约1μm的厚度。图9是根据另一实施例的显示设备的剖视图。图9与图7的线VIIIa-VIIIa'和线VIIIb-VIIIb'对应。根据图9的线VIIIa-VIIIa'的剖面对应于显示区域DA。显示区域DA包括上面参照图5描述的第一像素电极211至第三像素电极213、第一中间层221至第三中间层223、第一对电极231至第三对电极233、第一导电保护层241至第三导电保护层243以及辅助电极130。因此，在下文中对外围区域PA进行描述。参照根据图9的线VIIIb-VIIIb'的剖面，连接电极层170可以形成为多个层。连接电极层170可以包括顺序堆叠的第一电极层171至第三电极层173。第一电极层171至第三电极层173可以包括与均在显示区DA上被图案化的第一导电保护层241至第三导电保护层243的材料相同的材料。例如，由于第一电极层171可以在使第一导电保护层241图案化的工艺中形成，因此第一电极层171的材料可以与第一导电保护层241的材料相同。同样地，第二电极层172和第三电极层173的材料可以分别与第二导电保护层242和第三导电保护层243的材料相同。第一电极层171至第三电极层173可以均包括诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或者AZO的透明导电材料。图9示出了连接电极层170形成为三个层。选择性地，连接电极层170可以包括从第一电极层171至第三电极层173中选择的一个层或者两个层。图10是根据另一实施例的显示设备的剖视图。图10对应于图7的线VIIIa-VIIIa'和线VIIIb-VIIIb'。根据图10的线VIIIa-VIIIa'的剖面与显示区域DA对应。显示区域DA包括上面参照图6描述的第一像素电极211至第三像素电极213、第一中间层221至第三中间层223、第一对电极231至第三对电极233、第一导电保护层241至第三导电保护层243、第一绝缘保护层251至第三绝缘保护层253以及辅助电极130。因此，在下文中对外围区域PA进行描述。参照根据图10的线VIIIb-VIIIb'的剖面，辅助电极130可以通过连接电极层170电连接至第二电源电压供应线150。绝缘层180可以布置在连接电极层170上。绝缘层180可以覆盖连接电极层170的至少一部分。连接电极层170可以是单个层。连接电极层170可以在使第一导电保护层241至第三导电保护层243中的一个图案化的工艺中形成，其中，第一导电保护层241至第三导电保护层243在显示区域DA中均被图案化。因此，连接电极层170的材料可以与第一导电保护层241至第三导电保护层243中的一个的材料相同。作为实施例，连接电极层170可以在与使第一导电保护层241至第三导电保护层243之中的最后被图案化的导电保护层图案化的工艺相同的工艺中形成。在这种情况下，连接电极层170的材料可以与上述的最后被图案化的导电保护层的材料相同。绝缘层180可以包括无机绝缘材料。例如，绝缘层180可以在将显示区域DA中的第一绝缘保护层251至第三绝缘保护层253中的一个图案化的工艺中形成。因此，绝缘层180的材料可以与第一绝缘保护层251至第三绝缘保护层253中的一个的材料相同。例如，绝缘层180可以在使第一绝缘保护层251至第三绝缘保护层253之中的最后将形成的绝缘保护层图案化的工艺中形成，并且可以包括与最后被图案化的绝缘保护层的材料相同的材料。第一导电保护层241至第三导电保护层243中的每个与第一绝缘保护层251至第三绝缘保护层253中的每个可以在显示区域DA中被顺序地图案化。例如，可以使第一导电保护层241图案化，然后，可以使第一绝缘保护层251图案化。同样地，可以使第二导电保护层242图案化，然后，可以使第二绝缘保护层252图案化。此外，可以使第三导电保护层243图案化，然后，可以使第三绝缘保护层253图案化。在这种情况下，连接电极层170和绝缘层180可以包括与都与显示区域DA的像素对应的导电保护层和绝缘保护层的材料相同的材料。作为实施例，连接电极层170可以包括与第一导电保护层241的材料相同的材料，绝缘层180可以包括与第一绝缘保护层251的材料相同的材料。选择性地，连接电极层170可以包括与第二导电保护层242的材料相同的材料，绝缘层180可以包括与第二绝缘保护层252的材料相同的材料，或者连接电极层170可以包括与第三导电保护层243的材料相同的材料，并且绝缘层180可以包括与第三绝缘保护层253的材料相同的材料。图11是根据另一实施例的显示设备的剖视图。图11示出了图10的显示设备的变型实施例。图11对应于图7的线VIIIa-VIIIa'和线VIIIb-VIIIb'。根据图11的线VIIIa-VIIIa'的剖面与显示区域DA对应。显示区域DA包括上面参照图6描述的第一像素电极211至第三像素电极213、第一中间层221至第三中间层223、第一对电极231至第三对电极233、第一导电保护层241至第三导电保护层243、第一绝缘保护层251至第三绝缘保护层253以及辅助电极130。因此，在下文中对外围区域PA进行描述。参照根据图11的线VIIIb-VIIIb'的剖面，与上面参照图10的线VIIIb-VIIIb'提供的描述不同，连接电极层170可以具有多个层。与此相关地，图11示出了连接电极层170包括第一电极层171至第三电极层173。第一电极层171至第三电极层173可以分别包括与在显示区域DA中被图案化的第一导电保护层241至第三导电保护层243的材料相同的材料。由于第一电极层171可以在使第一导电保护层241图案化的工艺中形成，因此第一电极层171的材料可以与第一导电保护层241的材料相同。同样地，第二电极层172和第三电极层173的材料可以分别与第二导电保护层242和第三导电保护层243的材料相同。绝缘层180可以覆盖连接电极层170的至少一部分。绝缘层180可以包括无机绝缘材料。绝缘层180可以包括与第一绝缘保护层251至第三绝缘保护层253中的一个的材料相同的材料。绝缘层180可以在与直接布置在绝缘层180下方的第三电极层173的掩模工艺相同的掩模工艺中形成。在这种情况下，第三电极层173可以包括与第一导电保护层241至第三导电保护层243中的一个的材料相同的材料，绝缘层180可以包括与直接布置在第一导电保护层241至第三导电保护层243中的一个上的绝缘保护层的材料相同的材料。例如，当第三电极层173在与第三导电保护层243的工艺相同的工艺中被图案化，并且包括与第三导电保护层243的材料相同的材料时，绝缘层180可以在与第三绝缘保护层253的工艺相同的工艺中被图案化，并且包括与第三绝缘保护层253的材料相同的材料。图11示出了连接电极层170包括三个电极层。选择性地，可以不包括图11的第一电极层171和第二电极层172中的一个。图12至图15C是按照根据实施例的制造显示设备的工艺的显示设备的剖视图。参照图12，形成像素限定层120和辅助电极130。在形成像素限定层120和辅助电极130之前，在基板100上形成像素电路PC。然后，形成绝缘层110和第二电源电压供应线150，并在绝缘层110之上形成第一像素电极211至第三像素电极213。第一像素电极211至第三像素电极213可以例如通过利用例如湿法蚀刻方法的方法进行图案化。像素限定层120和辅助电极130可以在同一掩模工艺中形成。例如，可以在整个基板100上形成无机绝缘材料层和金属材料层，以覆盖第一像素电极211至第三像素电极213。然后，可以形成具有与第一像素电极211至第三像素电极213对应的开口的光刻胶。然后，通过蚀刻例如，干法蚀刻金属材料层来形成辅助电极130，并且通过蚀刻例如，干法蚀刻无机绝缘材料层来形成像素限定层120。然后，在去除光刻胶时，如图12中所示，保留像素限定层120和辅助电极130。由于辅助电极130在与像素限定层120的掩模工艺相同的掩模工艺中形成，因此可以防止对包括无机绝缘材料的像素限定层120造成损坏，并且辅助电极130可以仅布置在像素限定层120上。作为对比示例，在形成像素限定层120，在像素限定层120上形成金属材料层，然后，通过蚀刻金属材料层来形成辅助电极130时，用于蚀刻辅助电极130的蚀刻气体的选择速率低。因此，会对像素限定层120造成损坏，由此在像素限定层120的倾斜部上形成径向高度差。当在形成有径向高度差的像素限定层120上形成中间层和对电极时，会发生对电极损坏的这样的问题。然而，根据实施例，由于辅助电极130被蚀刻并且然后在同一工艺中像素限定层120被蚀刻，因此可以防止或者大大减少上述问题。图13A至图13C示出了使与第一像素对应的区域图案化的工艺。参照图13A，在第一像素电极211上形成第一中间层221和第一对电极231。在显示区域DA中形成第一保护层310和第一光敏树脂层320。第一掩模M1可以覆盖外围区域PA并且包括对应于显示区域DA的开口M1-OP。第一保护层310和第一光敏树脂层320均可以包括对应于第一像素电极211的开口。第一保护层310中的开口可以大于第一光敏树脂层320中的开口。作为实施例，在基板100的布置有像素限定层120和辅助电极130的显示区域DA中，形成非光敏材料层和光敏树脂层。曝光并蚀刻光敏树脂层的一部分，从而形成具有开口的第一光敏树脂层320。然后，可以穿过第一光敏树脂层320通过选择性地去除非光敏材料层来形成具有开口的第一保护层310。非光敏材料层可以由含氟的树脂形成。例如，非光敏材料层可以包括5wt％至25wt％的树脂聚合物和75wt％至95wt％的在醚结构中用氟部分地取代氢获得的氟代醚。当非光敏材料层包括上述材料时，通过使用呈包含氢氟醚hydrofluoroether等的溶液的形式的脱模剂去除非光敏材料层的一部分，从而形成具有开口的第一保护层310。然后，在布置有第一保护层310和第一光敏树脂层320的基板100上形成第一中间层221和第一对电极231。第一中间层221和第一对电极231的材料可以均形成在第一像素电极211上，并且形成在第一光敏树脂层320和第一掩模M1上。第一中间层221包括发光层，并且可以具有进一步包括HIL、HTL、ETL、EIL等的结构。第一对电极231可以包括具有低功函数的金属。上面参照图3描述了金属的材料。第一中间层221和第一对电极231可以通过利用热沉积方法等形成。可以沿与基板100垂直或者朝向基板100倾斜或者偏斜的方向沉积第一对电极231的材料。因此，第一对电极231可以覆盖整个第一中间层221，并且接触第一保护层310的开口中的辅助电极130。参照图13B，可以形成第一导电保护层241和第一电极层171。从基板100去除第一掩模M1并在基板100上布置第二掩模M2。第二掩模M2具有对应于显示区域DA并大于第一掩模M1的开口M1-OP的开口M2-OP。第二掩模M2可以暴露外围区域PA的一部分，使得第二电源电压供应线150被暴露。因此，辅助电极130的边缘和第二电源电压供应线150可以被暴露。然后，通过对应于基板100的整个区域沉积具有优异的导电率和低WVTR的材料例如，透明导电氧化物，可以形成第一导电保护层241和第一电极层171。第一导电保护层241和第一电极层171可以例如通过利用溅射法等形成。第一导电保护层241可以形成为覆盖整个第一对电极231。由于可以沿与基板100垂直或者朝向基板100倾斜的方向沉积第一导电保护层241的材料，因此第一导电保护层241可以形成为覆盖整个第一对电极231并且接触在第一保护层310的开口中的辅助电极130。第一电极层171布置在彼此分隔开的辅助电极130和第二电源电压供应线150上，以使辅助电极130电连接至第二电源电压供应线150。参照图13C，可以形成第一绝缘保护层251。从基板100去除第二掩模M2并且在基板100上布置第三掩模M3。第三掩模M3包括对应于显示区域DA并小于第二掩模M2的开口M2-OP的开口M3-OP。例如，第三掩模M3的开口M3-OP的尺寸可以与第一掩模M1的开口M1-OP的尺寸相同。因此，第三掩模M3可以覆盖辅助电极130的边缘和第二电源电压供应线150。然后，可以通过在基板100上与基板100的整个区域对应地沉积无机绝缘材料而形成第一绝缘保护层251。第一绝缘保护层251可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅等。第一绝缘保护层251可以通过利用化学气相沉积方法等而形成。由于沿垂直于基板100或者朝向基板100倾斜的方向沉积第一绝缘保护层251的材料，因此第一绝缘保护层251可以覆盖整个第一导电保护层241并且接触在第一保护层310的开口中的辅助电极130。然后，通过剥离工艺去除第一保护层310。例如，可以通过使用包含氢氟醚的溶液去除第一保护层310。当第一保护层310被去除时，第一保护层310上的第一光敏树脂层320和沉积在第一光敏树脂层320上的材料被一起去除。因此，第一中间层221、第一对电极231、第一导电保护层241以及第一绝缘保护层251保留在第一像素电极211上。将辅助电极130连接至第二电源电压供应线150的第一电极层171保留在外围区域PA中。图14A至图14C示出了在与第二像素对应的区域中执行的图案化工艺。参照图14A，形成包括与第二像素电极212对应的开口的第二保护层410，并且在第二保护层410上形成第二光敏树脂层420。第一掩模M1'可以覆盖外围区域PA并包括对应于显示区域DA的开口M1'-OP。第二保护层410由非光敏材料例如，含氟的树脂形成。上面参照第一保护层310对第二保护层410进行了详细描述。然后，在其上布置有第二保护层410和第二光敏树脂层420的基板100上形成第二中间层222和第二对电极232。第二中间层222和第二对电极232的材料可以均布置在第二像素电极212上，并且布置在第二光敏树脂层420上和第一掩模M1上。上面参照图3对第二中间层222和第二对电极232的材料进行了描述。由于可以沿垂直于基板100或者朝向基板100倾斜的方向沉积第二对电极232的材料，因此第二对电极232可以形成为覆盖整个第二中间层222并且接触在第二保护层410的开口中的辅助电极130。参照图14B，可以形成第二导电保护层242和第二电极层172。从基板100去除第一掩模M1'并在基板100上布置第二掩模M2'。第二掩模M2'包括对应于显示区域DA并大于第一掩模M1'的开口M1'-OP的开口M2'-OP。第二掩模M2'可以暴露外围区域PA的一部分，使得第二电源电压供应线150被暴露。因此，与辅助电极130的边缘和第二电源电压供应线150对应的区域可以被暴露到外侧。然后，与基板100的整个区域对应地沉积对于导电率和WVTR具有优异的特性的材料例如，透明导电氧化物，从而形成第二导电保护层242和第二电极层172。第二导电保护层242和第二电极层172可以例如通过利用溅射法等形成。第二导电保护层242可以形成为覆盖整个第二对电极232。由于可以沿垂直于基板100或者朝向基板100倾斜的方向沉积第二导电保护层242的材料，因此第二导电保护层242可以形成为覆盖整个第二对电极232并且接触在第二保护层410的开口中的辅助电极130。第二电极层172可以布置在第一电极层171上。第二电极层172和第一电极层171可以使彼此分隔开的辅助电极130和第二电源电压供应线150电连接。参照图14C，可以形成第二绝缘保护层252。从基板100去除第二掩模M2'，并且在基板100上布置第三掩模M3'。第三掩模M3'包括小于第二掩模M2'的开口M2'-OP的开口M3'-OP并且可以覆盖外围区域PA。因此，第三掩模M3'可以覆盖辅助电极130的边缘和第二电源电压供应线150。然后，可以通过与基板100的整个区域对应地沉积无机绝缘材料来形成第二绝缘保护层252。第二绝缘保护层252可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅等。第二绝缘保护层252可以通过利用化学气相沉积方法等形成。由于可以沿垂直于基板100或者朝向基板100倾斜的方向沉积第二绝缘保护层252的材料，因此第二绝缘保护层252可以形成为覆盖整个第二导电层242并且接触在第二保护层410的开口中的辅助电极130。然后，通过剥离工艺去除第二保护层410。如上面参照图13C所进行的描述，可以通过使用包含氢氟醚的溶液去除第二保护层410。当去除第二保护层410时，第二保护层410上的第二光敏树脂层420和沉积在第二光敏树脂层420上的材料被一起去除。因此，第二中间层222、第二对电极232、第二导电保护层242以及第二绝缘保护层252保留在第二像素电极212上。第一电极层171上的第二电极层172保留在外围区域PA中，其中，第二电极层172可以将辅助电极130连接到第二电源电压供应线150。图15A至图15C示出了在与第三像素对应的区域中的图案化工艺。参照图15A，形成包括对应于第三像素电极213的开口的第三保护层510，并且在第三保护层510上形成第三光敏树脂层520。第一掩模M1"可以覆盖外围区域PA并具有对应于显示区域DA的开口M1"-OP。第三保护层510由例如含氟的树脂的非光敏材料形成。上面参照第一保护层310对第三保护层510进行了详细描述。然后，在其上布置有第三保护层510和第三光敏树脂层520的基板100上形成第三中间层223和第三对电极233。第三中间层223和第三对电极233的材料可以均形成在第三像素电极213上，并且形成在第三光敏树脂层520和第一掩模M1"上。上面参照图3描述了第三中间层223和第三对电极233的材料。由于可以沿与基板100垂直或者朝向基板100倾斜的方向沉积第三对电极233的材料，因此第三对电极233可以形成为覆盖整个第三中间层223并且接触在第三保护层510的开口中的辅助电极130。参照图15B，可以形成第三导电保护层243和第三电极层173。从基板100去除第一掩模M1"并且在基板100上布置第二掩模M2"。第二掩模M2"可以包括与第三像素电极213对应并大于第一掩模M1"的开口M1"-OP的开口M2"-OP，并且可以将对应于第二电源电压供应线150的区域暴露。例如，可以暴露对应于辅助电极130的边缘和第二电源电压供应线150的区域。然后，与基板100的整个区域对应地沉积对于导电率和WVTR具有优异的特性的材料例如，透明导电氧化物，从而形成第三导电保护层243和第三电极层173。第三导电保护层243和第三电极层173可以例如通过利用溅射法等形成。第三导电保护层243可以形成为覆盖整个第三对电极233。由于可以沿与基板100垂直或者朝向基板100倾斜的方向沉积第三导电保护层243的材料，因此第三导电保护层243可以形成为覆盖整个第三对电极233并且接触在第三保护层510的开口中的辅助电极130。第三电极层173可以布置在第二电极层172上。第三电极层173、第一电极层171以及第二电极层172可以将辅助电极130电连接至第二电源电压供应线150。参照图15C，可以形成第三绝缘保护层253。从基板100去除第二掩模M2"，并在基板100上布置第三掩模M3"。第三掩模M3"包括对应于显示区域DA的开口M3"-OP。开口M3"-OP可以小于第二掩模M2"的开口M2"-OP并且可以覆盖外围区域PA。因此，辅助电极130的边缘和第二电源电压供应线150可以被第三掩模M3"覆盖。然后，可以通过与整个基板100对应地沉积诸如氮化硅的无机绝缘材料来形成第三绝缘保护层253。第三绝缘保护层253可以通过利用化学气相沉积方法等形成。由于可以沿与基板100垂直或者朝向基板100倾斜的方向沉积第三绝缘保护层253的材料，因此第三绝缘保护层253可以形成为覆盖整个第三导电保护层243并且接触在第三保护层510的开口中的辅助电极130。然后，当通过剥离工艺去除第三保护层510时，第三中间层223、第三对电极233、第三导电保护层243以及第三绝缘保护层253保留在第三像素电极213上。在第一电极层171和第二电极层172上的第三电极层173保留在外围区域PA中，其中，第三电极层173可以将辅助电极130连接至第二电源电压供应线150。图15D示出了图15C的图案化工艺的变型实施例。参照图15D，在执行参照图15B描述的工艺之后，当第二掩模M2"保留原样时，可以与基板100的整个区域对应地沉积无机绝缘材料。在这种情况下，可以在第三导电保护层243上形成第三绝缘保护层253，并且可以在第三电极层173上形成绝缘层180。即，根据参照图12至图15B和图15D描述的工艺形成的显示设备可以与上面参照图11描述的结构对应。通过省略上面参照图12至图15D描述的工艺之中的一些工艺，可以制造上面参照图3至图6以及图8至图10所描述的显示设备。例如，通过省略参照图13B和图13C描述的工艺中的至少一个、参照图14B和图14C描述的工艺中的至少一个、或者参照图15B和图15C描述的工艺中的至少一个，或者通过取决于从覆盖外围区域PA的第一掩模M1至第三掩模M3中选择哪一个，可以制造上面参照图8至图10描述的显示设备或者与图8至图10的显示设备的变型实施例对应的显示设备。根据实施例，可以防止由于杂质经由像素限定层的引入而导致的有机发光二极管的劣化。此外，根据实施例，可以在工艺期间或者在工艺之后保护对电极，并且可以将公共电源电压稳定地施加到对电极，其中，通过利用一个保护层或多个保护层、辅助电极、连接电极层等的结构针对每个像素将对电极图案化。当利用附着到掩模的基板执行沉积工艺时，会有掩模损坏像素限定层的问题。提供本实施例以解决包括上述问题的若干个问题。一个或更多个实施例包括显示设备，该显示设备包括在每个像素中被图案化的对电极和用于向显示设备中的对电极提供公共电源电压的结构。这里已经公开了示例实施例，虽然采用了特定术语，但这些特定术语仅以一般性和描述性意义而被使用和解释，而不出于限制的目的。在一些情况下，除非另外特别指出，否则对于本领域普通技术人员将清楚的是，自提交本申请之时起结合具体实施例描述的特征、特性和或元件可以单独使用或者与结合其他实施例描述的特征、特性和或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离下面的权利要求中所阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

权利要求：1.一种显示设备，所述显示设备包括：基板，包括显示区域和位于所述显示区域外侧的外围区域；像素电极，位于所述显示区域中并且彼此分隔开；像素限定层，暴露所述像素电极的上表面中的每个的一部分，覆盖所述像素电极的边缘，并且包括无机绝缘材料；辅助电极，位于所述像素限定层上；第一中间层，位于所述像素电极之中的第一像素电极上；第一对电极，位于所述第一中间层上；第二中间层，位于来自所述像素电极之中的第二像素电极上，所述第二像素电极与所述第一像素电极相邻；第二对电极，位于所述第二中间层上，并且经由所述辅助电极电连接至所述第一对电极；电源电压供应线，位于所述外围区域中；以及连接电极层，将所述辅助电极电连接至所述电源电压供应线。2.如权利要求1所述的显示设备，其中，在平面图中，所述电源电压供应线与所述辅助电极分隔开并围绕所述辅助电极的一部分。3.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接电极层位于所述辅助电极和所述电源电压供应线上。4.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述辅助电极与所述像素限定层的上表面直接接触。5.如权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：导电保护层，覆盖所述第一对电极和所述第二对电极中的至少一个对电极。6.如权利要求5所述的显示设备，其中，所述导电保护层的宽度大于所述第一对电极和所述第二对电极中的所述至少一个对电极的宽度，并且所述导电保护层与所述至少一个对电极和所述辅助电极直接接触。7.如权利要求5所述的显示设备，其中，所述连接电极层的材料与所述导电保护层的材料相同。8.如权利要求5所述的显示设备，其中，所述导电保护层包括透明导电氧化物。9.如权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：绝缘保护层，覆盖所述第一对电极和所述第二对电极中的至少一个对电极。10.如权利要求9所述的显示设备，其中，所述绝缘保护层包括无机绝缘材料。11.如权利要求9所述的显示设备，所述显示设备还包括：绝缘层，覆盖所述连接电极层，其中，所述绝缘层包括与所述绝缘保护层的材料相同的材料。12.一种显示设备，所述显示设备包括：像素电极，布置在显示区域中并且彼此分隔开；像素限定层，暴露所述像素电极的上表面中的每个的一部分，覆盖所述像素电极的边缘，并且包括无机绝缘材料；辅助电极，位于所述像素限定层上；第一中间层和第一对电极，都位于所述像素电极之中的第一像素电极上；第一导电保护层，位于所述第一对电极上；第二中间层和第二对电极，都位于所述像素电极之中的第二像素电极上；以及第二导电保护层，位于所述第二对电极上。13.如权利要求12所述的显示设备，其中，所述辅助电极覆盖所述显示区域，并且包括对应于所述像素电极的孔。14.如权利要求12或者权利要求13所述的显示设备，其中，所述辅助电极仅位于所述像素限定层上。15.如权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一导电保护层和所述第二导电保护层中的每个的端部与所述辅助电极接触。16.如权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一导电保护层和所述第二导电保护层中的至少一个导电保护层包括透明导电氧化物。17.如权利要求12所述的显示设备，所述显示设备还包括分别对应于所述第一导电保护层和所述第二导电保护层的第一绝缘保护层和第二绝缘保护层。18.如权利要求17所述的显示设备，其中，所述第一绝缘保护层和所述第二绝缘保护层包含无机绝缘材料。19.如权利要求17所述的显示设备，其中，所述第一绝缘保护层和所述第二绝缘保护层中的每个的端部与所述辅助电极接触。20.如权利要求12所述的显示设备，其中，所述像素限定层还包括：隆起部，位于与所述像素电极中的每个的端部对应的位置中。21.如权利要求20所述的显示设备，所述显示设备还包括：绝缘层，位于所述像素限定层下方，其中，从所述绝缘层到所述像素限定层的不与所述像素电极中的每个叠置的区域的高度小于从所述绝缘层到所述隆起部的高度。22.如权利要求12所述的显示设备，所述显示设备还包括：电源电压供应线，布置在所述显示区域外侧并且电连接至所述辅助电极。23.如权利要求22所述的显示设备，其中，所述电源电压供应线与所述辅助电极分隔开。24.如权利要求23所述的显示设备，所述显示设备还包括：连接电极层，将所述辅助电极电连接至所述电源电压供应线。25.如权利要求24所述的显示设备，其中，所述连接电极层覆盖所述辅助电极的边缘和所述电源电压供应线。

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