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摘要：本发明属于半导体CVD技术领域，公开了沉积制备装置及外延膜沉积制备方法，沉积制备装置包括反应腔体、固定组件、进气组件以及加热体组件，反应腔体设置有排气口，固定组件包括固定件，固定件倒悬于反应腔体内，固定件被配置为放置晶片，以使晶片的沉积面朝下；进气组件包括进气管，进气管的出口连通反应腔体内，以向反应腔体内注入反应气体；加热体组件能够对进气管输出的反应气体以及固定件固定的晶片加热；外延膜沉积制备方法利用上述的沉积制备装置，将晶片的沉积面朝下，在气相反应过程中的杂质会由于重力下落，而不易直接落至朝下的晶片的沉积面上，减少杂质落到晶片表面的概率，提升了产品良率。
主权项：1.沉积制备装置，其特征在于，包括：反应腔体1，所述反应腔体1设置有排气口11：固定组件2，所述固定组件2包括固定件21，所述固定件21倒悬于所述反应腔体1内，所述固定件21被配置为放置晶片6，以使所述晶片6的沉积面朝下；进气组件3，所述进气组件3包括进气管31，所述进气管31连通所述反应腔体1，所述进气管31被配置为向所述反应腔体1内注入反应气体；加热体组件4，所述加热体组件4设置于所述反应腔体1内，所述加热体组件4能够对所述进气管31输出的所述反应气体以及所述固定件21固定的所述晶片6加热。
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百度查询： 拉普拉斯(广州)半导体科技有限公司 沉积制备装置及外延膜沉积制备方法
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