龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明涉及晶片、外延片及其制造方法。实施方式涉及一种晶片，包括一面和另一面，上述一面的Rsk粗糙度为‑3nm至3nm，上述一面的边缘区域的Ra粗糙度与上述一面的中心区域的Ra粗糙度之间的差异为‑2nm至2nm，上述一面的边缘区域是从上述一面的边缘向中心方向的距离相对于上述晶片的半径为13.3％至32.1％的区域，上述一面的中心区域是从上述一面的中心相对于上述晶片的半径具有9.4％的半径的区域。实施方式的晶片的一面的边缘区域与中心区域之间的粗糙度偏差不大，且可以显示出低不对称性。实施方式的外延片呈现出更均匀的厚度特性，基于此，在制造半导体器件时可以提高器件的特性和成品率。
主权项：1.一种外延片，其特征在于，包括：晶片，以及外延层，形成在上述晶片的一面上；上述晶片包括一面和另一面，上述一面为在表面上出现硅原子层的Si表面，上述一面的Rsk粗糙度为-3nm至3nm，上述一面的中心区域的Ra粗糙度为4nm以下且0.01nm以上，上述一面的边缘区域的Ra粗糙度为5nm以下且0.01nm以上，上述一面的边缘区域的Ra粗糙度与上述一面的中心区域的Ra粗糙度之间的差异为-2nm至2nm，上述一面的边缘区域是从上述一面的边缘向中心方向的距离相对于上述晶片的半径为13.3％至32.1％的区域，上述一面的中心区域是从上述一面的中心相对于上述晶片的半径具有9.4％的半径的区域，由下述式1定义的Tu为5％以下：[式1] 在上述式1中，Tu为外延层的厚度不均匀度，Tmax为外延层的最大厚度，Tmin为外延层的最小厚度，Tavg为外延层的平均厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 赛尼克公司 晶片、外延片及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号