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摘要：本实用新型公开了一种外延片及光电子器件。外延片包括异质衬底、缓冲结构层和外延层，缓冲结构层包括第一氮化物缓冲层、图形结构层、氮化物填充层、覆盖结构层和第二氮化物缓冲层，图形结构层设置在第一氮化物缓冲层上，氮化物填充层设置在图形结构层上，且氮化物填充层的一部分还设置在第一纳米孔内，覆盖结构层设置在图形结构层和氮化物填充层上，第二氮化物缓冲层设置在图形结构层和覆盖结构层上。本实用新型通过图形结构层的第一纳米孔阻断了来自异质衬底的位错延伸，在图形结构层的第一纳米孔内以及图形结构层上设置的氮化物填充层提高了第二氮化物缓冲层的侧向外延，提高了外延片的晶体质量，改善了外延片的漏电问题。
主权项：1.一种外延片，包括沿选定方向依次层叠设置的异质衬底、缓冲结构层和外延层，其特征在于，所述缓冲结构层包括：第一氮化物缓冲层，沿所述选定方向层叠设置在所述异质衬底上；图形结构层，沿所述选定方向层叠设置在所述第一氮化物缓冲层上，所述图形结构层具有第一纳米孔；氮化物填充层，所述氮化物填充层设置在所述图形结构层上，且所述氮化物填充层的一部分还设置在所述第一纳米孔内且与所述第一氮化物缓冲层接触；覆盖结构层，设置在所述图形结构层和所述氮化物填充层上；第二氮化物缓冲层，设置在所述覆盖结构层上。
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百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 外延片及光电子器件
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